陈鹏
,
阚泽
,
刘正英
,
冯建民
,
杨鸣波
高分子材料科学与工程
采用真空辅助树脂传递模塑(VARTM)法制备了天然纤维增强阴离子聚合尼龙6(APA-6)复合材料,并将其与玻璃纤维复合材料进行比较.首先对天然纤维进行预处理,然后对反应加工过程进行优化,选取了低活性和弱碱性的已内酰胺溴化镁(C1)作为引发剂,制备得到天然纤维复合材料.采用差示扫描量热仪分析了样品的结晶度,结果显示,天然纤维复合材料有更高的结晶度.扫描电镜观察2种复合材料的界面情况表明,天然纤维复合材料有更好的界面性能.对纯APA-6及其复合材料的弯曲性能和拉伸性能测试表明,天然纤维的加入使材料的力学性能有了较大幅度的提高,并且拥有较高的比强度和比模量.
关键词:
天然纤维
,
阴离子聚合尼龙6
,
真空辅助树脂传递模塑
周佩德
中国腐蚀与防护学报
本文用表面光反射,电化学库仑还原、扫描和透射电子显微镜研究了经Cr、Ta和惰性气体离子注入后的高纯铜,暴露在含H_2S大气中的失泽行为。暴露试验是在H_2S浓度为0.006—6VPM,25℃和100％RH条件下进行的。结果表明,Cr、Ta离子注入显著地提高了铜的抗失泽能力,Xe离子注入效果较小,而Ar离子注入无改进效果。阴极还原曲线显示经Cr、Ta离子注入的试样上形成的失泽膜,比未经离子注入铜上形成的膜薄,其结构组成亦不同。电子衍射结构分析和扫描电镜(附WDAX)分析进一步证明,Cr离子注入抑制了铜表面膜中金属硫化物的形成。
关键词:
魏星
,
乔忠良
,
薄报学
,
陈静
,
张苗
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.002
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.
关键词:
湿法刻蚀
,
脉冲阳极氧化
,
斜率效率
佟宇
,
郭天文
,
唐立辉
,
谭艳君
,
张惠
稀有金属材料与工程
以无氟牙膏为对照,研究含氟牙膏刷洗钛铸件对其表面形态、光泽和色彩的影响.结果表明:钛铸件用含氟牙膏刷洗后表面形态有较大的改变,而用无氟牙膏刷洗后表面形态无明显变化;两组钛铸件刷洗后均出现了失泽和变色,色彩偏蓝、偏绿,变得晦暗,但两组的色差无显著性差异.因此使用含氟牙膏刷洗对钛铸件表面形态的影响大于无氟牙膏,2种牙膏对钛铸件的色彩均有一定影响,但二者之间无显著性差异.
关键词:
钛
,
磨损
,
腐蚀
,
失泽
,
色差
俞本立
,
徐长春
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.024
为了解决干涉型光纤传感器中光源频率调制深度与干涉仪光程差的相关性,以及压电陶瓷(PZT)调制的高频限制和非线性效应,设计了全保偏光纤马赫一泽德干涉仪结构,引入保偏光纤波导相位调制器替代常见的光源调制及PZT调制,采用低噪声单频保偏光纤激光器作为光源,通过相位载波零差解调方法,实现了微振动信号的保真拾取.通过波导调制器的引入,增加了系统的灵活性和频响范围,并使灵敏度达到了10-5 rad/Hz1/2量级.
关键词:
纤维与波导光学
,
振动传感器
,
波导调制器
,
PZT
,
光源调制
钱楷
,
徐长春
,
葛强
,
吴许强
,
俞本立
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.01.022
在单模光纤构成的干涉型光纤传感器中,存在偏振衰落问题,将导致干涉效率降低.而为了消偏振衰落采用全保偏器件的光纤传感器成本过于高昂,影响其实用性.以马赫.泽德干涉仪为基础,用反馈信号控制偏振控制器加起偏器的结构消除了偏振衰落,构造了基于部分保偏器件的干涉型光纤传感器.实验得到系统输出信噪比稳定在60 dB左右.
关键词:
纤维与波导光学
,
光纤传感器
,
消偏振衰落
,
偏振控制器
,
起偏器
马人佺
,
曲秀荣
,
吕树臣
,
徐岩岩
,
崔乃庚
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201606005
采用溶胶-凝胶与热压相结合的方法制备了镍掺杂 Ca3 Co4 O9＋δ基热电陶瓷,研究了镍掺杂量对其显微结构和电输运性能的影响。结果表明：随着镍掺杂量的增加,Ca3 Co4 O9＋δ基陶瓷的晶粒尺寸减小、织构含量降低、取向度下降；镍掺杂后使陶瓷晶界散射增强,导致电阻率和泽贝克系数增大,而功率因子降低,说明镍掺杂降低了该陶瓷的电输运性能。
关键词:
热电陶瓷材料
,
镍掺杂
,
显微结构
,
电输运性能
曾云
,
李晓磊
,
张燕
,
张国樑
,
王太宏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:
短沟道
,
绝缘衬底上硅
,
双极MOS场效应晶体管
,
阈值电压
