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招平断裂带夏甸—姜家窑段构造地球化学找矿预测

黄金 doi:10.11792/hj20150504

夏甸—姜家窑测区位于招平断裂带中段. 招平断裂带在该区段大致沿玲珑花岗岩与胶东群变质岩接触带展布,总体走向42°,倾向SE,倾角37°~52°. 主要金矿体赋存于招平断裂带主裂面下盘黄铁绢英岩化碎裂岩和黄铁绢英岩化花岗岩中. 本次地表构造地球化学测量面积约12 .6 km2 ,采集样品352件,测试...

关键词: 找矿预测 , 构造地球化学 , 多元统计分析 , 夏甸—姜家窑测区 , 招平断裂带

胶西北大尹格庄金矿床电解成矿机理及对找矿的启示

杨斌 , 王慧 , 陈燕 , 阚靖

黄金 doi:10.11792/hj20150303

大尹格庄金矿床位于招平断裂带中段，矿床蚀变分带明显，大尹格庄断裂为一条导矿断裂，对矿体空间分布及侧伏具有明显的制约。蚀变岩岩石化学分析显示，黄铁绢英岩和绢英岩化碎裂岩中的Si有一部分来自钾长石化花岗岩，钾长石化花岗岩、绢英岩化碎裂岩和黄铁绢英岩中均有Fe、Mg、Mn的显著带入。在绢英岩化碎裂岩和黄铁...

关键词: 电解成矿机理 , 水岩反应 , 找矿标志 , 大尹格庄金矿床 , 招平断裂带

灵北断裂带凤凰庄测区多元异常信息找矿预测

颜倩琼 , 杨斌 , 祝涛 , 阚靖

黄金 doi:10.11792/hj20160205

凤凰庄测区位于灵北断裂带灵山沟金矿区南西侧。本次选择了蚀变填图和地表构造地球化学测量作为多元异常信息找矿的主要手段，测量范围约3 km2，绢英岩化蚀变异常区可作为矿化元素聚集区标志，钾化蚀变异常可作为矿化元素活化区标志。测区内发现3处高浓度并成规模的Au元素异常带，Au元素含量分形特征显示Au经历过...

关键词: 灵北断裂带 , 构造蚀变填图 , 构造地球化学 , 找矿预测 , 凤凰庄测区

定靖油气田区地下水有机污染特征初步分析

崔虎群 , 康卫东 , 李文鹏 , 王润兰 , 刘景涛

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2016.06.2015092502

以地下水水质检测数据为基础,从污染源分布及水文地质条件入手,对定靖油气田区地下水有机污染分布特征及其成因进行了研究,本文检测了卤代烃15项、氯代苯5项、单环芳烃5项、有机氯农药11项和多环芳烃1项,结果发现该地区地下水有机污染具有检出种类...

关键词: 定靖油气田区 , 地下水 , 有机污染 , 成因浅析

脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

魏星 , 乔忠良 , 薄报学 , 陈静 , 张苗 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.002

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.

关键词: 湿法刻蚀 , 脉冲阳极氧化 , 斜率效率

毛细力驱动电厂冷凝热海水淡化

阚伟民 , 章先涛 , 郑李坤 , 江浩庆 , 陈燕鸣 , 程婷 , 胡雪蛟

工程热物理学报

报导了一套可利用电厂冷凝热的海水淡化系统,系统类似一个打开的环路热管,毛细抽吸力是系统运行的主要驱动力,该驱动力抽吸海水进入毛细芯中发生相变,推动产生的蒸汽进入冷凝器中冷凝成淡水,而不消耗额外电能.在粤电靖海发电有限公司建立一套示范系统,...

关键词: 热管 , 毛细力 , 冷凝热 , 海水淡化

短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压

曾云 , 李晓磊 , 张燕 , 张国樑 , 王太宏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018

提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性...

关键词: 短沟道 , 绝缘衬底上硅 , 双极MOS场效应晶体管 , 阈值电压

金属图象分割的研究

曹力 , 史忠科

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.01.003

结合金属图象的特点,利用传统阚值分割技术和基于最大熵原则的图象分割技术对金属图象分割进行了分析;并根据金属图象分析要求,提出了先二值化金属图象再进行边缘提取的方法.对比实验结果表明,基于最大熵原则的图象分割技术可以获得较好的分割效果,所提...

关键词: 金属图象 , 阚值分割 , 边缘提取 , 最大熵

短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析

王洪涛 , 王茺 , 胡伟达 , 杨洲 , 熊飞 , 杨宇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.003

本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟.计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阚值电流的影响,并对模拟结果进行了系...

关键词: 短沟道n-MOSFET , 亚阈值电流 , 解析模型 , 数值模拟

短沟道SiC MESFET亚阈值特性

韩茹 , 杨银堂 , 贾护军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值...

关键词: 碳化硅MESFET , 沟道电势 , 漏极引致势垒降低效应 , 阈值电压

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