陈志雄
,
周方桥
,
付刚
,
唐大海
材料导报
从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO3,型钙钛矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律.综合分析了钙钛矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果.表明这些结果与本文得到的主要规律能够相互印证.对钙钛矿结构氧化物半导体陶瓷中叶电子导电机制.也作了进一步的阐明.
关键词:
钙钛矿结构
,
n型半导化
,
氧空位
,
变价
,
跳跃电导
周方桥
,
李莉
,
傅刚
,
陈志雄
,
庄严
无机材料学报
用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而 Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800℃以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度。才能使非线性系数有所改善.
关键词:
（Sr
,
Nb）-TiO2 ceramic
,
semiconductor
,
varistor
周方桥
,
李莉
,
庄严
,
傅刚
,
陈志雄
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.015
用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800°C以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度,才能使非线性系数有所改善.
关键词:
(Sr,Nb)-TiO2陶瓷
,
半导体
,
压敏电阻
钟明峰
,
苏达根
,
庄严
,
陈志雄
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.017
研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化.
关键词:
多层压敏电阻器
,
低温烧结
,
银扩散
,
晶粒电阻
,
电性能
傅刚
,
陈志雄
,
张进修
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.03.014
运用复阻抗谱方法, 在不同浓度乙醇与汽油气体中,测试SnO2厚膜气敏元件的电抗-频率关系曲线, 由电抗的变化来标定元件的灵敏度.与以往的测试采用直流电参量标定灵敏度相比, 复阻抗测试不仅提高了元件的灵敏度,而且显著改善了选择性.该结果表明复阻抗测试不仅反映元件在气体吸附或解吸时晶粒间界处晶界电阻的变化,也反映了晶界电容的变化,因而更能体现气敏机制的本质.
关键词:
SnO2厚膜
,
复阻抗测试
,
酒敏
,
灵敏度
,
选择性
