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旋转磁场对高硅铝合金凝固过程中相组织演变的影响

李甫 , 钟云波 , 龙琼 , 王江 , 郑天祥 , 王怀 , , 雷作胜 , 任维丽 , 任忠鸣

中国有色金属学报

研究旋转磁场的励磁电流和旋转频率对高硅铝合金凝固组织的影响,并利用高速摄像机、SEM和EDS对高硅铝合金中硅相及其他金属间化合物形貌的演变进行分析。结果表明,旋转磁场可以抑制高硅铝合金的宏观偏析,细化初晶硅颗粒,形成类共晶组织;随着励磁电流和旋转频率的增大,初晶硅转变方式为长棒状-块状-大块块状团簇,共晶硅转变方式为长针状-蠕虫状-针状;旋转磁场还可以改善Al 2 Cu相和Al-Si-Fe相的形貌,使其依附甚至包覆在Si相周围生长,抑制合金熔体中Si相的长大,有助于改善合金的力学性能。

关键词: 高硅铝合金 , 旋转磁场 , 励磁电流 , 旋转频率 , 相组织

激光显示中匀色坐标系的建立与色差分析

, 刘伟奇 , 魏忠伦 , 冯睿 , 柳华 , 康玉思 , 张健 , 马强 , 冯玉涛

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.007

针对现有激光显示采用CIE1931颜色系统不能分析色差的问题,建立了激光显示中的匀色坐标系,并对色差理论在激光显示中的应用进行了研究.分析了采用CIE1976LUV颜色坐标系分析色差的方法;并绘制了CIE1931XYZ、CIE1960UCS和CIE1976LUV三种颜色坐标系下的色度标尺图.通过对色度坐标系的转换,可以通过激光电视最终显示颜色的三基色RGB信号来比较计算机显示与激光显示的物体颜色的色差,使色差保持在人眼恰可察觉差的允许范围内.并初步分析了激光显示中相应电路的实时处理技术.

关键词: 激光显示 , 匀色空间 , 色度坐标系 , 色差 , 色度标尺图

应用低介电材料丙烯酸酯树脂作为TFT-LCD的钝化层材料

周伟峰 , 薛建设 , 明星 , 刘翔 , 郭建 , 谢振宇 , 赵承潭 , , 闵泰烨

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112601.0019

将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本.

关键词: 薄膜晶体管液晶显示器 , 低介电常数 , 丙烯酸酯树脂 , 钝化层

不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律

周伟峰 , 薛建设 , 金基用 , 刘翔 , 明星 , 郭建 , , 闵泰烨

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112602.0165

通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善.狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著.考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免.

关键词: 薄膜晶体管液晶显示器 , 沟道设计 , 四次掩膜曝光

钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究

李田生 , 谢振宇 , 张文余 , 阎长江 , 徐少颖 , , 闵泰烨 , 苏顺康

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20122704.0493

为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔 (VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20%~30%的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质.

关键词: 钝化层 , 刻蚀 , 过孔

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善

田宗民 , , 谢振宇 , 张金中 , 张文余 , 崔子巍 , 郭建 , 闵泰烨

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132806.0849

对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42%,开关比(I.n/I..)提升了约70%,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.

关键词: 栅极绝缘层 , 有源层 , 沉积条件优化 , 电学特性 , 改善

TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究

张家祥 , 卢凯 , 郭建 , 姜晓辉 , 崔玉琳 , 王亮 , 阎长江 , 曲连杰 ,

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142901.0055

对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本.采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率.无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同.

关键词: 无退火工艺 , 透过率 , 氧化铟锡层 , TFT特性

Al2O3纳米线的电化学法制备及形成机理分析

池永庆 , , 刘世斌 , 张忠林 , 段东红 , 李一兵 , 郝晓刚

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00851

通过对纯铝板电化学阳极氧化及腐蚀液处理, 在一定的条件下制备出了排布有序的Al2O3纳米线, 采用SEM、EDS、IR手段对纳米线微观形貌和组成进行了表征. 实验结果表明: 多孔Al2O3薄膜经腐蚀后形成纳米线,在铝基板上呈六角形排布, 组成为纯Al2O3, 直径随电氧化温度、槽电压的升高和腐蚀处理时间的延长减小, 直径范围为16~60nm, 长径比较大. 在实验的基础上, 提出了有序排布Al2O3纳米线的形成机理.

关键词: Al2O3纳米线 , electro-oxidation , preparation , mechanism

模板法Li4Ti5O12纳米线阵列的制备及其机理分析

池永庆 , , 张忠林 , 刘世斌 , 段东红 , 郝晓刚 , 孙彦平

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00529

通过溶胶填充模板法制备了Li4Ti5O12纳米线阵列, 采用SEM、EDS、XRD对纳米线形貌和组成进行了表征. 实验结果表明: 以孔径为100nm阳极氧化铝模板(AAO), 于-0.1MPa负压环境中填充0.8 mol/L Li4Ti5O12溶胶, 80℃干燥, 900℃空气气氛中焙烧20h, 重复填充-干燥-焙烧四次, 得到平均直径为70nm尖晶石结构的Li4Ti5O12纳米线阵列. 其直径和长度分别由模板的孔径、厚度, 溶胶浓度和填充次数控制, 晶体结构取决于焙烧时间和温度. 并在实验基础上, 分析了纳米线形成机理.

关键词: Li4Ti5O12 , nanoarrays , aluminum oxide template , filling , mechanism

高温时效对2205双相不锈钢中σ相析出行为的影响

刘雄 , 何燕霖 , 丁秀平 , 宋红梅 , 胡锦程 , , 李麟

材料热处理学报

对2205双相不锈钢进行了750、800、850、900和950℃分别保温0.5、1、2h的时效处理,采用定量金相、SEM和EDS、化学萃取、XRD和电子背散射衍射(EBSD)等方法研究了2205双相不锈钢中σ相析出与时效时间、温度的变化规律.结果表明:2205双相不锈钢经不同时效工艺处理后的组织主要由奥氏体、铁索体、σ相组成,σ相一般在γ/α相界处或铁索体内析出;在相同时效温度下,随着时间的延长,σ盯相的析出量明显增多,而在850℃进行时效处理会使钢中σ相的析出量达到最高值.此外,采用EBSD方法有望对2205双相不锈钢中的σ相进行准确的定量分析.

关键词: 2205双相不锈钢 , 时效处理 , σ相 , 电子背散射衍射技术(EBSD)

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