蒲红斌
,
陈治明
,
李留臣
,
封先锋
,
张群社
,
沃立民
,
黄媛媛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.004
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.
关键词:
SiCGe
,
热壁CVD
,
感应加热
,
温度场
,
有限元
杨明超
,
陈治明
,
封先锋
,
林生晃
,
李科
,
刘素娟
,
刘宗芳
人工晶体学报
PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响.本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向温差最小,同时产生缺陷的切应力Τrz及引起开裂的径向正应力σrr值都为最小.
关键词:
SiC
,
数值模拟
,
缺陷
,
热应力
李连碧
,
陈治明
材料导报
采用低压化学气相沉积法在6H-SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜,利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析,研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征,讨论了XRD峰位与薄膜的组分结构的关系,为进一步改善薄膜的性能提供了依据.结合XPS和XRD综合分析可知, 薄膜中Ge、C组分高达30.86%和9.06%,确为SiCGe相,并不是SiGe和SiC的简单结合.测试发现,SiCGe多晶薄膜为立方结构,在〈110〉和〈310〉方向上择优生长.
关键词:
6H-SiC SiCGe薄膜
,
低压化学气相沉积
,
X射线光电子能谱
高战军
,
陈治明
,
李连碧
,
赵萌
,
黄磊
人工晶体学报
在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征.结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶粒尺寸也增大.XRD测试结果表明:间隔法可以控制薄膜生长的择优取向.Raman光谱测试结果表明:采用间隔法且断源时间控制在30 s时,生长温度900℃,H2∶ SiH4 =400∶20 sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最小.
关键词:
热壁LPCVD
,
多晶Si薄膜
,
择优取向
,
表面粗糙度
张群社
,
陈治明
,
李留臣
,
蒲红斌
,
封先锋
,
陈曦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.025
本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同.得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论.
关键词:
SiC
,
PVT法
,
磁矢势
,
焦耳热
张群社
,
陈治明
,
蒲红斌
,
李留臣
,
封先锋
,
巩泽龙
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.013
本文根据SiC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响.通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论.
关键词:
SiC晶体
,
PVT法
,
流体力学模型
,
温度场
李存雄
,
陈治明
,
严莹
,
杨芸
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.05.013
通过实验室水培试验,研究了镧对水生植物绿菊花的某些生理指标如叶绿素总量、抗坏血酸活性酶、过氧化氢酶、过氧化物酶等的影响,以及绿菊花对镧的吸收积累作用.结果显示:短时间内,镧对绿菊花生理活性有一定的刺激作用.但长时间(＞7天)以后高浓度的稀土元素对其生理活性有明显的抑制、破坏作用,而低浓度表现为促进-抑制-促进的过程.绿菊花对镧有吸收积累能力.
关键词:
La3+
,
绿菊花
,
生理
,
积累
杨莺
,
陈治明
人工晶体学报
采用湿法腐蚀工艺,对PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究.利用熔融态KOH和K2CO8作为腐蚀剂,通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法,获得了良好的湿法腐蚀工艺参数.用CCD光学显微镜和SEM观察腐蚀以后的晶体表面形貌.结果表明,最佳腐蚀工艺参数为K2CO3:KOH=5 g:200 g,440 ℃/30 min.腐蚀以后(0001)Si表面可以清晰地观察到微管、基面位错、螺位错和刃位错.实验还发现晶片表面抛光质量会影响腐蚀后SiC表面的形貌.
关键词:
碳化硅
,
缺陷
,
腐蚀
刘兵
,
陈治明
,
封先锋
,
林生晃
,
王风府
人工晶体学报
在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质.本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN.实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低.
关键词:
SiC籽晶
,
升华
,
热分解腔
,
微管
