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热轧铁硅单晶体再结晶的研究

周邦新 ,

金属学报

研究了含硅3.25%的铁硅单晶体,在加热到900℃经过35%轧制后的组织结构,和退火后的再结晶织构。观察到样品轧制后在厚度内的畸变程度是不均匀的。退火时在畸变较大的表面层中先发生再结晶,然后再结晶晶粒向着畸变较小的中心层生长。用金相和X射线技术研究后证明:在表面层中与再结晶织构取向相同的轧制织构已经存在,这时同位再结晶是形成再结晶织构的主耍原因;样品在高温退火后形成的再结晶织构,是由于表面层中已再结晶的晶粒向着中心层择优生长的结果。

关键词:

矽钢片的加工织构及再结晶织构

, 刘长禄

金属学报

本文研究了含矽量为4.15%,2.9%和3.35%的矽钢片的加工结构和再结晶结构。用X射线测定极图的结果证明:在所有合金中,当最后冷轧轧下量大于60%时,其加工结构是(001)[110],(112)[(?)]及(111)[(?)]。退火后的初次再结晶结构是(001)[110]绕[001]轴旋转0°—30°,(111)[(?)]及(110)[001]。本文还研究了再结晶结构的形成过程,借以了解它的形成机构。结果表明:(1)再结晶结构(001)[110]绕[001]轴旋转0°—30°是通过“同位再结晶”(recrystallizatton in-situ)的过程,然后围绕垂直于压延平面的轴旋转而成。(2)再结晶的最初阶段的(110)[001]结构与加工结构(111)[(?)]在数量上有对应的关系,因此,我们认为用定向生核理论来解释(110)[001]的形成较为适当。在几何关系上,前人曾指出,再结晶结构(110)[001]可认为是由加工结构(111)[112]绕〈110〉轴旋转35°而来,这个观点是与本文结果符合的。(3)在退火过程中,加工结构的消失具有一定顺序:(111)[(?)]最先消失,(001)[110]最后消失。某一加工结构的再结晶本领并不决定于它的相对数量的多少,而是决定于该结构的类型。在含矽量为2.9%的样品中,经一系列的加工及热处理后,获得了发展良好的第二次再结晶结构(110)[001],其偏离度为15°(110)[001]结构即一

关键词:

利用区域熔化法提纯铝和锡的一些试验

, 刘民治

金属学报

<正> 用作半导体材料的锗和硅,需要高度纯化方能使用,已为众所周知。在研究金属的许多物理性质方面,如结晶凝固的过程,金属的强度、腐蚀及内部原子的扩散,合金的相图等,也常常需要先有纯金属或“纯合金”,方能进一步控制其他条件,系统地研究它们之间相应的规律。

关键词:

用MCNPx程序计算谱中子雷姆仪的响应曲线

苏有武 , 朱小龙 , 李武元

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.02.008

利用MCNPx程序计算了谱中子雷姆仪的响应曲线. 计算表明, 增加铅层对低能中子的响应没有明显的影响, 但在高能区(几百MeV以上)谱中子雷姆仪的响应与铅层的厚度有关. 铅层厚度为0.6 cm时响应比普通雷姆仪提高约3倍, 当铅层厚度增加到1.2 cm时响应高约5倍. 虽然计算结果与ICRP建议书中的H*(10)曲线相比还有一定的差别, 但改变慢化体的结构对提高高能中子的探测效率是有明显效果的.

关键词: MCNPx , 高能中子 , 雷姆仪

一种谱多球中子谱仪能量响应的MC模拟

袁娇 , 苏有武 , 李武元 , 徐俊奎 , 庞成果 , 严维伟 , 李宗强 , 毛旺 , 徐翀 , 左伟 , 付鑫

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.224

利用蒙特卡罗程序FLUKA模拟计算了聚乙烯慢化球和辅助材料慢化球对低能中子到高能中子的响应函数曲线。结果表明,对纯聚乙烯球来说,随着聚乙烯层厚度的增加,响应曲线峰逐步右移,峰值在高能区有所下降,对20 MeV以上的中子,无论纯聚乙烯球的尺寸有多大,其响应均下降到很低的程度;对辅助材料慢化球来说,中子能量小于1 MeV时,辅助材料慢化球与聚乙烯慢化球的响应曲线相似,但当中子能量大于20 MeV时,中子与辅助材料层发生(n,xn)反应,慢化球的响应呈显著上升趋势。分析计算结果,最终能够确定谱多球中子谱仪的尺寸组合。

关键词: FLUKA , 多球谱仪 , 响应函数 , 聚乙烯 , 辅助材料

一种谱多球中子谱仪的研制

付鑫 , 李宗强 , 徐俊奎 , 李武元 , 苏有武 , 毛旺 , 严维伟 , 徐翀 , 庞成果

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.33.04.466

利用蒙特卡罗程序MCNPX模拟计算了纯聚乙烯球和加入辅助材料的聚乙烯球对不同能量中子的响应函数曲线,使用计算出来的响应函数作为U-M-G软件解谱所需输入文件.研发了一套专门为此多球谱仪进行数据采集的放大甄别一体化电路,该电路可为SP9管提供900 V的工作高压,甄别阈设为0.5V,总的放大倍数为200倍.使用研制的Bonner球谱仪对已知源强的Pu-Be中子源进行谱测量,测量结果显示解出的谱数据与实际Pu-Be源中子谱较为符合,实验结果验证了该套多球谱仪可用于测量Pu-Be区的中子谱.

关键词: 球中子谱仪 , U-M-G , 能量响应函数 , MCNPX

光谱太阳电池减反表面光谱特性研究

张玉涛 , 宣益民

工程热物理学报

本文利用时域有限差分方法,计算了三种不同的渐变折射率的单晶硅太阳电池减反表面的光谱特性,对三种表面的减反性能进行了对比.讨论了结构参数对结构表面减反特性的影响,研究发现,蛾眼结构的单晶硅太阳电池在整个太阳辐射光谱范围内具有最低的反射率,随着微结构高度的增加和周期的减小,有效折射率的梯度降低,减反效果更加明显.

关键词: 光谱 , 渐变折射率 , 太阳电池

疏水耐环境型SiO2/TiO2/SiO2-TiO2太阳光谱增透膜的制备及性能研究

檀满林 , 张礼杰 , 王晓伟 , 马清 , 符冬菊 , 张维丽 , 李冬霜 , 陈建军 , 张化宇

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150264

利用TFCcal设计软件构建膜系结构,采用溶胶-凝胶工艺和提拉法在超白玻璃上制备出厚度精确可控的光谱、高增透型SiO2/TiO2/SiO2-TiO2减反膜,同时结合甲基三乙氧基硅烷(MTES)改性碱催化的SiO2溶胶,通过提拉法一次制备出高透过率疏水型薄膜.研究表明,高增透型三层光谱减反膜的理论膜层厚度依次为:80.9 nm(内层SiO2-TiO2)、125.0 nm(中间层TiO2)、95.5 nm(外层SiO2),其在400~700 nm可见光范围内平均透过率实际可高达97.03%以上.多层膜经过退火处理后,膜面的水接触角高达131.5°,同时陈化两个月以后的多层膜透过率仅下降0.143%,表明制备的SiO2/TiO2/SiO2-TiO2多层减反膜具有优良的疏水和耐环境性能.

关键词: 增透膜 , 疏水型 , 耐环境 , 光谱

电子束辐照浓香型白酒催效果的研究

张苗苗 , 陆栋 , 曹国珍 , 刘敬 , 金文杰 , 王菊芳 , 李文建

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.218

以能量为1.5 MeV/u,剂量分别为500,750,1000,1250,1500 Gy的电子束对1,2,4,6,8年等5种年份浓香型白酒进行辐照处理;扫描各酒样200~400 nm波段的紫外光谱,根据紫外光谱图的差异,计算了280~300 nm波段的光谱曲线相似度,分析光谱曲线变化规律。结果表明,对于前4种白酒,对照样与辐照样光谱曲线相似度值越小,催效果越好;白酒存放时间越久,酒体风格转向老熟所需剂量越小,越容易达到最佳催效果;对于8年白酒,辐照剂量超过750 Gy后,白酒体系动态平衡被打破,各单体物质增加,出现返生现象。因此,电子束辐照技术对低年份浓香型白酒催效果显著,是一种先进、高效的催方法。

关键词: 白酒 , 电子束 , 紫外可见光谱 , 光谱曲线相似度 , 效果

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