陈茜
,
冯良桓
,
郝瑞英
,
张静全
,
武莉莉
,
蔡亚萍
,
李卫
,
宋慧瑾
功能材料
用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作为背接触层,能很好的解决CdTe太阳电池的欧姆接触问题.以前的研究表明,ZnTe:Cu因掺铜浓度的不同,显示出不同的电导率温度关系.本文仔细观察了各种掺杂浓度ZnTe:Cu的电导率温度关系,并由此来选定掺铜浓度.实验还表明,对一个确定掺铜浓度的ZnTe/ZnTe:Cu复合层,其退火温度对CdTe太阳电池的性能影响很大.为此,本文发展了通过测试ZnTe/ZnTe:Cu复合层的电导温度关系,来确定退火温度的方法.目前,用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作背接触材料,获得了转换效率为7.03%的中面积碲化镉薄膜电池集成组件.
关键词:
ZnTe/ZnTe:Cu复合层作背接触材料
,
太阳电池
,
电导率温度关系
陈少杰
,
刘虹
,
方晶晶
,
鲁毅钧
,
徐新宏
,
江璐
,
陈茜
材料开发与应用
本文根据有关军用标准和规程对HZF-S彩色聚酯表面毡材料常温释放物和高温热解物毒性进行定性、定量分析,从而对其使用的安全性进行卫生学评价.HZF-S彩色聚酯表面毡材料在45℃时密封20 d检测出7种释放物,其浓度均未超过水面舰艇舱室空气组分容许浓度;其高温热解物约51种,动物急性吸入该材料的高温热解物的半数致死浓度LC50 =95 g/m3,属低毒性材料.
关键词:
HZF-S彩色聚酯表面毡材料
,
GC-MS
,
水面舰艇
,
毒性评价
余宏
,
谢泉
,
肖清泉
,
陈茜
功能材料
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜.研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征.结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性.最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si (220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强.在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强.
关键词:
Mg2Si薄膜
,
热蒸发
,
退火时间
,
择优生长
肖清泉
,
谢泉
,
沈向前
,
张晋敏
,
陈茜
功能材料
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2 Si半导体薄膜.首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理.采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征.研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响.结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件.在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致.
关键词:
半导体薄膜
,
Mg2Si
,
磁控溅射
,
热处理
,
表征
晏德付
,
秦颍
,
陈茜
,
黄凰
中国腐蚀与防护学报
根除或有效控制有害的“粉状锈”是青铜器保护的关键技术。根据铜的氯化物在一定温度下易分解或挥发这一性质，本文利用热分析仪和X射线衍射（XRD）手段，对青铜试样表面生成的碱式氯化铜（Cu2Cl(OH)3）及氯化亚铜（CuCl）试剂粉末进行分析。结果表明，在大气环境中加热到350℃即可使氯铜矿分解，消除Cl-；CuCl在420℃~430℃融化并挥发，在600℃挥发急剧加速，实验条件下至789℃已完全挥发。
关键词:
青铜器
,
chloride
,
thermal analysis
,
XRD
潘沪湘
,
陶永华
,
王为宗
,
李中付
,
陈茜
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2008.10.015
为预防和控制舰艇舱室等密闭环境中甲苯的污染,以舰艇常用的一种非金属材料--长效防腐涂料作为实验样品,密封于实验箱中,在不同的温度条件下脱气,应用气相色谱法在90天的时间内对释放的甲苯浓度进行分析,并做曲线拟合与回归,总结出甲苯浓度随时间和温度变化的规律.
关键词:
长效防腐涂料
,
非金属材料
,
温度
,
甲苯
,
规律
丰云
,
谢泉
,
高冉
,
沈向前
,
王永远
,
陈茜
材料热处理学报
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似（GGA）,对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
关键词:
Ca2Si
,
掺杂
,
电子结构
,
光学性质
,
第一性原理
郝瑞英
,
李卫
,
郑家贵
,
冯良桓
,
陈茜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.002
CdTe薄膜的腐蚀是制作CdS/CdTe光伏电池的重要技术之一,本实验采用硝磷酸溶液(硝酸1%+磷酸70%+去离子水29%)腐蚀CdTe薄膜,通过XRD测试发现在CdTe膜上生成了碲层.随后,在腐蚀后的CdTe薄膜上分别沉积了几种结构的背接触层,并制备出相应结构的CdTe太阳能光伏电池.通过电池的光、暗I-V和C-V特性测试,以ZnTe/ZnTe:Cu/Ni为背接触的小面积太阳电池,其性能优于其它背接触的电池.实验结果表明器件性能与碲的生成和铜的扩散密切相关.
关键词:
硝磷酸(NP)
,
背接触
,
太阳电池
李卫
,
冯良桓
,
郝瑞英
,
陈茜
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.02.016
采用硝磷酸(NP)背表面刻蚀工艺并结合真空共蒸发法分别沉积了几种背接触层材料,研究了NP腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响.结果表明:NP腐蚀后在CdTe薄膜上产生了富碲层;退火后,碲容易与背接触材料中的铜反应生成CuxTe.通过严格控制和优化腐蚀工艺,选择ZnTe/ZnTe:Cu作为背接触层材料,可制备出优异性能的CdTe太阳电池.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
硝磷酸(NP)
,
背接触
,
太阳电池
