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化学气相输运法制备ZnO晶体

, 武明晓 , 郭树青 , 高平 , 尹利君 , 黄存新 , 张金平 , 张晓军 , 董国义

人工晶体学报

采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向.以(0002)方向的ZnO籽晶片作基片,制备了ZnO单晶厚膜,晶体呈螺旋状外延生长,正极面的单晶摇摆曲线半高宽为543.6弧秒.

关键词: ZnO晶体 , 化学气相输运 , 摇摆曲线

常压化学水解反应生长氧化锌晶体

蔡淑珍 , 秦向东 , 高平 , 李哲 , 罗小平 , , 付三玲 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.043

采用ZnCl2·2H2O在常压下高温水解反应生长ZnO晶体,反应温度为500℃.当以SiC为衬底时,可以获得六棱柱形氧化锌晶体,直径约为10μm,长为30~100 μm.当衬底为蓝宝石时,氧化锌沿[0001]呈定向柱状生长,柱的直径为5~10 μm,柱之间具有较多的内部缺陷.当以ZnO为衬底时,在{0001}面,形成连续膜,表面扫描电镜分析表明,晶体具有明显的极性生长特征,[0001]方向呈螺旋柱状生长.在{0001}面,晶体的平整性较好,呈现台阶性生长.

关键词: 氧化锌 , 化学水解反应 , 衬底

水热法合成氧化锌晶体形貌特征

, 葛世艳 , 董国义 , 窦军红 , 李军 , 郑文礼 , 张华伟 ,

功能材料

本文采用水热法,在430℃,35%填充度,反应24h合成了ZnO晶体.当矿化剂浓度较低时,如1mol·L-1NaOH,只合成了ZnO微晶.提高矿化剂浓度可以合成出个体较大晶体,如采用5 mol·L-1NaOH作矿化剂时,合成晶体的长度达到500μm.以3mol·L-1 KOH作矿化剂时,合成晶体的长度为1500μm.以3 mol·L-1NaOH和1mol·L-1KBr作矿化剂时合成晶体的长度为700μm,直径200 μm,显露完整的晶面,显示晶体有较高的质量.除了大的晶体以外,合成产物中有大量的微晶和纳米晶簇.

关键词: 水热法 , 氧化锌 , 矿化剂 , 晶体形态

LiOH矿化剂对水热合成ZnO晶体形貌的影响

, 葛世艳 , 窦军红 , 李军 , 刘超 , 林琳 , 郑一博 , 董国义

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.025

本文研究了在430℃,填充度为35用了3mol/L,5mol/L LiOH做矿化剂,所获得晶体均为10μm以下的微晶.当矿化剂为1mol/L LiOH和1mol/L KBr时,所获得晶体同样为几微米的微晶,显露完整的正极面{0001}、负极面{0001}、锥面{1011}和柱面{1010}.矿化剂为3M LiOH和3M KBr时,出现个体较大的晶体,直径超过100μm,显露正极面{0001}、正锥面{1011}和柱面{1010},负极面出现缺损现象.由此说明和K+相比溶液中的Li+不利于生成大尺寸ZnO晶体.

关键词: 水热法 , 氧化锌 , 晶体 , 矿化剂 , 氢氧化锂

Co、Sn共掺杂ZnO晶体的制备及其磁性

, 韩伟超 , 马玲鸾 , 段光杰 , 刘清波 , 强勇 , 高平 , 张晓军

人工晶体学报

采用6 mol/L KOH作为矿化剂,SnO2、CoCl2和ZnO按物质的量比为0.02∶0.5∶1的比例混合作为前驱物,填充度70%,温度430℃,时间24h,采用水热法制备出Co、Sn元素掺杂的ZnO晶体.Sn元素掺杂明显改变了晶体的极性生长特征,较大面积的显露正极面c{0001}面,还显露柱面m{l0l0}、正锥面p{1011}、负锥面{1011}和负极面{0001}以及正锥面{1012}和负锥面{1012},晶体长度约为50 μm.经过EDS测量表征,发现制备的ZnO单晶中Co元素的含量达到10.89at%,生成物中出现少量Co氧化物,SQUID测量表明样品主要表现为顺磁性.

关键词: 水热法 , 氧化锌 , 顺磁性

水热法合成SnO2金红相纳米柱晶体

, 李军 , 刘超 , 林琳 , 郑一博 , 葛世艳 , 张华伟 , 窦军红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.024

本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68%,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合成了三种具有不同形态的金红相SnO2纳米晶体.其中在较高浓度的酸或强碱环境下合成了具有清晰结构,长100nm、直径10nm的SnO2纳米柱体.

关键词: 二氧化锡 , 水热合成 , 纳米柱

ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

董国义 , 窦军红 , 张蕾 , , 葛世艳 , 郑一博 , 林琳 , 田少华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.026

本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.

关键词: ZnS , 微波介电谱 , 热释光 , 光电子

水热法合成Zn1-xNixO稀磁半导体

, 李军 , 刘超 , 林琳 , 郑一博 , 葛世艳 , 张华伟 , 窦军红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.009

本文采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量NiCl2*6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xNixO稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的NiCl2*6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂Ni的多种形态ZnO混合晶体,对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明,前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异,只有少量的Ni离子掺入ZnO,最大Ni原子分数含量为0.62%.采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性,发现在室温以下,晶体的磁化强度不随温度升高而下降.在室温下,存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温下的铁磁性.

关键词: 氧化锌 , 水热合成 , 稀磁半导体

水热法合成Zn1-xMnxO稀磁半导体

, 刘超 , 李军 , 葛世艳 , 张华伟 , 林琳 , 郑一博 , 窦军红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.021

本文采用水热法在430℃,以3mol%·L-1KOH作矿化剂,填充度为35%,反应时间24h,合成了Zn1-xMnxO稀磁半导体晶体.所合成晶体具有ZnO纤锌矿结构,晶面显露正极面{0001}、负极面{0001}、菱面{1011}及负菱面{1011}晶体高度为5~30μm,径高比约为2:1.X荧光能谱(EDS)显示Mn原子百分浓度为2.6%(x=0.026).晶体呈现低温铁磁性,居里温度50K.

关键词: 水热合成 , 氧化锌 , 稀磁半导体

水热法合成Zn1-xCoxO室温稀磁半导体

, 刘超 , 李军 , 林琳 , 郑一博 , 葛世艳 , 张华伟 , 窦军红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.012

本文采用水热法,在430℃,填充度为35%,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的CoCl2·6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1-xCoxO晶体.电子探针测量表明,随着前驱物中CoCl2·6H2O添加量的增加,晶体中的Co实际掺入量也随着增加.采用超导量子干涉磁强仪测量材料的磁性,发现在室温以下,水热法合成的Zn1-xCoxO晶体的磁化强度随温度变化很小,在300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温下铁磁性.

关键词: 水热合成 , 氧化锌 , 矿化剂 , 稀磁半导体 , 晶体

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