韦文生
,
张春熹
,
周克足
,
王天民
材料导报
以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响.分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础.归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非...
关键词:
硅
,
光波导材料
,
硅基集成光学器件
韦文生
,
徐刚毅
,
王天民
,
张春熹
材料导报
介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
隧道二极管
,
异质结二极管
,
变容二极管
,
太阳能电池
,
单电子晶体管
,
发光二极管
韦文生
,
戴瑜兴
,
张正江
,
李晶
材料导报
剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案.探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术.比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反...
关键词:
快速恢复二极管
,
发射率控制
,
少子寿命控制
,
硅
,
碳化硅
韦文生
,
王天民
,
张春熹
,
李国华
,
韩和相
,
丁琨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 ...
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
掺硼
,
纳米硅晶粒
,
择优生长
,
电场
缪建成
,
马惠
,
沈晓翔
,
汤元春
,
黄一汉
腐蚀与防护
doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2006.11.010
通过对韦2块采出水和腐蚀产物的分析以及对管材的分析,认为集输管线的腐蚀与水中硫化物含量高,以及碳酸氢盐较高,电导率高有关.分析认为,在现有的几种防护方法中,较好的是添加缓蚀剂并对管内壁采用防腐蚀涂层的方法.
关键词:
硫化物
,
防护
,
水分析
,
集输管线
,
腐蚀产物