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前驱体水热分解制备PbS树枝晶

邓崇海 , 胡寒梅 , 丁明 ,

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.03.008

以硝酸铅和硫代氨基脲为最初原料,采用配合物低温水热分解法,制备了半导体 PbS 树枝晶.并用 X 射线粉末衍射(XRD)和 X 射线光电子能谱(XPS)确定所制备粉体为纯 PbS,扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表明粉体形貌是树枝晶形,且有 3 次枝晶析出,选区电子衍射(SAED)图案证实晶枝是单晶生长的.同时对PbS 树枝晶的生长机理进行了探讨.

关键词: 水热法 , PbS , 树枝晶 , 半导体

简捷微波合成氧化锌纳米棒

邓崇海 , 胡寒梅 , , 邵国泉

硅酸盐通报

以氯化锌和乙二胺的水溶液为前驱体溶液,采用家用微波炉微波辐照8min,成功制备出结晶性好的半导体ZnO纳米棒.用X-射线衍射(XRD)、选区成份分析(EDS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射花样(SAED)对产物进行了表征.结果表明,纳米棒沿着c轴择优取向生长,直径在50nm左右,长度在400~600 nm之间,粒径分布均匀.并对ZnO纳米棒的生长过程进行了简单分析.

关键词: ZnO , 半导体 , 微波辐照 , 纳米棒

两种TiC基金属陶瓷的组织结构与刀具切削性能

, 管航敏 , 高大明 , 胡坤宏 , 刘宁

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.11.008

采用纳米TiN加入微米TiC混合粉末(A)和纳米TiC0.7N0.3固溶体粉末(B)两种配料,用无压烧结方法制备了A和B两种金属陶瓷材料及其相应刀具,对材料的组织和刀具的切削性能进行了研究.结果表明:A陶瓷相由黑色的芯和灰色的壳构成;而B陶瓷相兼有黑白两种芯和灰色的壳结构.分布于陶瓷相晶界处的纳米颗粒具有增强陶瓷基体的作用.在相同切削条件下,刀具A的切削性能比刀具B更好;高速切削时,氧化和扩散磨损加速了刀具的失效进程.

关键词: TiC基金属陶瓷 , 显微组织 , 磨损

碳酸钙修饰凹凸棒石复合粉体结构及性能研究

赵娣芳 ,

硅酸盐通报

将凹凸棒石与Ca(OH)2-H_2O-CO_2系统相结合,采用非均相成核法制备了碳酸钙修饰凹凸棒石复合粉体.并对复合粉体的白度、粒度、物相、微观形貌进行了测试和分析,结果表明:凹凸棒石粉体白度由71.13提高到93.37, 平均粒度D90由244.620 μm减小到22.091 μm,复合粉体中碳酸钙粒径为30~40 nm.对复合粉体的形成机理进行了探讨.

关键词: 修饰 , 凹凸棒石 , 复合粉体 , 白度 , 粒度分布

激光烧结时间对TiC-WC-Mo2C-Ni系金属陶瓷显微组织和抗弯强度的影响

, 谢劲松 , 阳杰 , 徐泽忠 , 张凌云

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2016.04.005

以TiC、WC、Mo2C和Ni粉体为主要原料,采用传统制粉成形工艺和激光烧结技术成功制备出了TiC-Ni系金属陶瓷,研究了激光烧结时间对TiC-Ni系金属陶瓷显微组织和抗弯强度的影响.利用X-衍射和扫描电镜等手段对所制备的金属陶瓷的物相、显微组织、断口形貌和抗弯强度进行分析.结果表明:烧结时间在0.5~1 h内,获得的金属陶瓷物相较纯,当烧结时间超过1.5 h后,产物中出现了杂相.扫描电镜观察表明,随着烧结时间的延长,TiC、WC和Mo2C相将逐渐消失,并通过溶解-再析出方式形成了(Ti,W,Mo)C完全固溶体.金属陶瓷的相对致密度和抗弯强度均随烧结时间的延长呈先增加后降低的规律.当烧结时间为1h左右时,获得的金属陶瓷的相对致密度和抗弯强度分别约为99%和1785 MPa,其断裂模式以沿晶断裂为主.

关键词: TiC-Ni系金属陶瓷 , 激光烧结 , 显微组织 , 抗弯强度

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

十八胺高温膜特性及膜形态

谢建丽 , 邓佳杰 , 胡家元

材料保护

十八胺(ODA)高温膜特性可为燃气机组停机保养过程的防护提供科学依据。采用高压釜模拟350-560℃水汽环境,对燃气机组管材受热面ODA膜进行研究,探讨了各条件对成膜耐蚀性的影响。结果表明:ODA最佳膜条件:80mg/L ODA,温度480℃,pH值9.5,恒温时间2h;560℃时形成的膜层也具有很好的保护性,表明不降温加入ODA进行停机保养也是可行的;所膜为含ODA的氧化铁层,ODA中N与Fe发生化学吸附形成保护膜。

关键词: 十八胺(ODA) , 膜特性 , 膜形态 , 耐蚀性

乳液涂料膜过程中膜助剂的挥发

殷耀兵 , 李国强 , 管文超

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2007.08.006

膜助剂的水溶性、相对挥发速度影响其在涂膜干燥过程中的挥发.热失质量和激光粒度分析发现,膜助剂挥发过程分两个阶段.在第一阶段,膜助剂一方面挥发,另一方面因浓度提高而向聚合物粒子内部渗透,油溶性膜助剂挥发速度比较快;在第二阶段,膜助剂的挥发受到膜助剂分子由聚合物内部向外扩散的控制,油溶性膜助剂挥发速度比较慢.由于膜助剂水溶性的这种差异,导致油溶性膜助剂容易出现缩边现象.这对于膜助剂的选用和减量增效,以及提高膜性能具有重要意义.

关键词: 膜助剂 , 水溶性 , 挥发 , 缩边

机械镀锌膜机理探讨

王兆华 , 杨瑞嵩 , 张鹏 , 刘元洪

材料保护

分析了目前对机械镀锌原理认识的合理性,提出了机械镀锌的膜机理是在腐蚀微电池的作用下,镀液中的金属离子在阴极区电沉积,溶液中的金属粉末在阳极区发生溶解,电沉积的金属膜助剂使金属粉末在基材上沉积.冲击作用在于搅拌溶液以减少浓差极化,使凝聚粉团变形利于膜,破碎枝晶,方便堆砌.机械镀的膜是化学电池产生的金属粉末的部分阳极自溶解和镀覆金属阴极电沉积的结果,从而将金属粉末和基体结合在一起.

关键词: 机械镀锌 , 膜机理 , 腐蚀电池

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