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对DD3镍基单晶高温合金表面进行喷丸处理,利用X射线衍射方法研究了喷丸层中残余应力沿层深的分布。结果表明：喷丸层中存在的残余压应力在层深为10μm处达到最大值,且随着层深的增加而降低;喷丸表层单晶组分中的残余压应力与多晶组分中的基本接近,次表层中两者存在较大差别,随着材料层深的增加二者的差别更加明显,单晶组分中的残余压应力水平更高,分布深度更大。

关键词: 镍基单晶高温合金 , 喷丸 , 残余应力 , X射线衍射

DD3镍基单晶高温合金喷丸强化后残余应力的有限元模拟

须庆 , 姜传海 , 陈艳华

机械工程材料

利用有限元分析软件ANSYS/LS-DYNA,通过设立局部坐标系和运用三参数Barlat模型建立了DD3镍基单晶高温合金的喷丸强化有限元模型,并对喷丸后的残余应力进行了有限元模拟和实际测试。结果表明：由于镍基单晶高温合金的各向异性,在不同取向上呈现不同的残余应力状态,且同一晶面不同取向的最小残余压应力出现在组成滑移系的晶向上;模拟结果与试验结果吻合较好。

关键词: 各向异性材料 , 镍基单晶高温合金 , 有限元模拟 , 喷丸强化 , 残余应力

以废弃的稻草为原料,在1300～1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须.研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理.结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好；SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h；碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须.晶须以竹节状居多,晶须直径为10～200nm之间,长径比＞10.用Fe粉和H3 BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小.反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径.

关键词: 稻草 , 制备 , SiC晶须 , VLS机理

Sn晶须形态的研究

郝虎 , 李广东 , 史耀武 , 夏志东 , 雷永平 , 郭福 , 李晓延

材料科学与工艺

本文研究了稀土相表面Sn晶须的生长行为.研究结果表明,如果将稀土相暴露于空气中,在稀土相的表面会出现Sn晶须的快速生长现象,且Sn晶须在其快速生长过程中会表现出一些特殊的形态特征,如片状Sn晶须的形成、Sn晶须的多次连续转折现象、Sn晶须的变截面生长现象、Sn晶须的分枝与合并以及Sn晶须的搭接现象等.

关键词: SnAgCu合金 , 稀土 , Sn晶须 , 形貌特征

抑制锡须的方法

王先锋 , 贺岩峰

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.06.010

无铅封装工艺是IC制造商为了顺应电子产品无铅化趋势而发展起来的,但存在晶须生成的潜在威胁.因此,锡须的抑制方法成为研究的关键.对电子集成电路封装行业中常见的9种抑制锡须的方法--避免局部镀纯锡,选择亚光或低应力镀锡,选择适宜的镀层厚度,选择适宜的阻挡层,纯锡镀层表面回流处理,退火处理,避免在纯锡镀层表面进行压负载操作,采用有机涂层或其它金属涂层,采用适宜的电镀添加剂等进行了总结,为IC业无铅电镀提供参考依据.

关键词: IC , 无铅封装 , 锡须 , 抑制方法

硼酸铝晶须氮化特性研究

毕刚 , 王浩伟 , 吴人洁 , 张荻

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.07.001

针对硼酸铝晶须增强铝基复合材料的界面反应问题,经热力学预测,首次提出对硼酸铝晶须进行氮化处理这一新工艺.采用X射线光电子能谱(XPS)研究了硼酸铝晶须的氮化特性.实验结果表明:硼酸铝晶须中已渗入氮元素;同时,硼酸铝晶须中硼元素向BN转变. 硼酸铝晶须的氮化反应受扩散控制,为一热激活过程,其反应活化能为306.34kJ/mol.

关键词: 硼酸铝晶须 , 氮化处理

气相生长氮化钛晶须

黄锦涛 , 张秉忠 , 朱钧国 , 杨冰 , 徐世江

材料研究学报

<正> TiN 材料具有高熔点(2949℃)、高硬度、高温化学稳定性及良好的导热、导电性,已广泛应用于耐高温、耐磨损领域。TiN 晶须除具有以上特点外,由于它在结构上接近理想单晶,有着较高的抗拉强度,在晶须增强复合材料中很有发展前途。近年来,日本、波兰、美国等国科学家已开展了TiN 晶须的研制工作,而国内尚属空白。高桥武彦等研究了放电法生长TiN 纤维。Bojarski 等研究了在钨丝基体上用化学气相沉积法生长TiN 晶须的方法,讨论了晶须生长形态和晶须结构等问题。本文主要研究了在金属基板上化学气相沉积生长TiN 晶须的工艺和晶须形状。

关键词:

Mg(OH)2晶须的制备

吴健松 , 肖应凯 , 张丽 , 匡文华 , 梁海群 , 吴康娣

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.05.006

以MgCl2为原料,NaOH为沉淀剂,研究了它们的浓度配比、反应温度、晶化温度、晶化时间、晶化方式等因素对形成Mg(OH)2晶须的影响. 结果表明,当n(MgCl2): n(NaOH)=1.20: 1.92、混合温度Tm=86 ℃、晶化温度Tc=100 ℃、晶化时间Time=5.5 h时,可以得到发育不完全的初级Mg(OH)2晶须. 若改用水热法晶化,可得到发育较好的Mg(OH)2晶须. 在此基础上,若在NaOH溶液中加入一定量的有机溶剂OR(NaOH浓度不变)时,即可得到发育更完善的Mg(OH)2晶须. 电子显微镜照片显示,粒子呈晶须形状,粒度分布均匀,分散性好,晶形好,纯度高. 并对晶须生长机理进行了初步分析.

关键词: Mg(OH)2 , 晶须 , 水热法 , 功能材料