魏斌
,
吴谊群
,
顾冬红
,
干福熹
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2004.02.005
合成了3种新型偶氮染料:2-(4-甲基-2-噻唑基偶氮)-5-(二乙胺基)苯酚(MTADP)及其镍螯合物(Ni-MTADP)和锌螯合物(Zn-MTADP).采用元素分析、MS、FT-IR和FT-Raman技术进行了结构表征.紫外/可见吸收光谱分析表明,金属离子与MTADP形成螯合物后,在薄膜中最大吸收峰红移60～70 nm,而且Ni-MTADP比Zn-MTADP有10 nm的红移.TG分析表明,Ni-MTADP和Zn-MTADP的分解温度分别为331和 295℃.
关键词:
噻唑基偶氮金属螯合物
,
合成
,
光学性质
,
热学性质
张广军
,
顾冬红
,
李青会
,
干福熹
,
刘音诗
无机材料学报
利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜, 热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态. 通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升
温速率条件下的结晶峰温度, 计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子. 从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度, 可以用于高速可擦重
写相变光盘.
关键词:
新型AgInSbTe相变薄膜
,
crystallization kinetics
,
XRD
,
DSC
魏斌
,
吴谊群
,
顾冬红
,
干福熹
功能材料
偶氮染料在短波区具有优良的光学和热学性质以及光致顺反异构特性,既是一类新型高密度可录光盘存储介质,又是一类可望作为可擦重写的光盘存储介质.本文在总结近几年最新研究成果的基础上,分别阐述了偶氮染料作为高密度可录光盘和可擦重写光盘存储介质的作用机理以及对记录介质的基本要求,讨论了影响偶氮染料光学、热学性质以及光存储性能的主要因素,并对未来的发展趋势作了展望.
关键词:
偶氮染料
,
高密度光存储
,
可录型光盘
,
可擦重写型光盘
陈文忠
,
吴谊群
,
顾冬红
,
干福熹
功能材料
合成了2-(2-氨基-6-乙氧基苯并噻唑基偶氮)-5-(N,N-二乙基氨基)三氟甲基磺酰苯胺偶氮染料(EBTDATFS)及其与乙酸镍、乙酸钴、乙酸铜、乙酸锌等金属盐鏊合的金属鏊合物.通过红外光谱、紫外-可见吸收光谱和MALDI质谱等对染料及其金属鏊合物进行了结构表征;使用旋涂方法在K9玻璃和抛光的单晶硅基片上制备薄膜;研究了镍金属鏊合物的热学性能;使用椭偏仪研究了Ni和Zn鏊合物的光学常数.结果表明:4种金属鏊合物薄膜最大吸收光谱为621～629nm,且长波边吸收峰陡峭;TGA-DSC测试结果表明镍金属鏊合物具有较高的分解温度(325℃)和较大的分解速率(在16℃温度范围类质量百分比减少了56%),且热重分析曲线陡峭;该染料的Ni和Zn鏊合物具有较大的折射率n和较小的消光系数k.因此该染料的金属鏊合物具有良好的光热性能,有望用于具有超分辨近场结构(Super-RENS)的NVD光盘记录层用材料的研究.
关键词:
金属鏊合物
,
吸收光谱
,
热学性能
,
光学常数
,
NVD
黄伍桥
,
吴谊群
,
顾冬红
,
干福熹
功能材料
报道了高溶解性能的电子转移复合物铜-(2,5-二丙酸甲酯-7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷);并对其紫外可见光光谱进行了研究.用旋涂工艺制备了Cu-TCNQ(C2H4COOCH3)2薄膜,并对该薄膜的可擦重写光存储性能及其机理进行了研究.短波长(514.5nm)静态可擦重写光存储性能测试结果表明:在写入功率为9mW,写入脉冲为80ns,擦除功率为4mW,擦除脉冲为500ns时反射率对比度＞15%(无反射膜),循环次数可达110次以上,并且没有出现任何疲劳现象.
关键词:
CuTCNQ脂类衍生物旋涂膜
,
可擦重写性能
,
高密度光存储
张广军
,
顾冬红
,
李青会
,
干福熹
,
刘音诗
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.037
利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜,热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升温速率条件下的结晶峰温度,计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度,可以用于高速可擦重写相变光盘.
关键词:
新型AgInSbTe相变薄膜
,
结晶动力学
,
XRD
,
DSC
刘启明
,
干福熹
,
顾冬红
无机材料学报
采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.
关键词:
GeS2非晶半导体薄膜
,
ar ion laser illumination
,
photoinduced change
