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层柱材料的超分子插层组装

小平 , 傅相锴 , 傅宏 , , 杨新斌 , 牛丽明

功能材料

首次合成了(脯氨酸-N-甲基膦酸-磷酸氢)锆(α-ZPMPP)层状晶体,以正丁胺为客体分子首次合成了α-ZPMPP-正丁胺超分子插层复合物.研究了α-ZPMPP在常温下对正丁胺的插层性能,用元素分析、红外光谱、X射线衍射、TG-DSC热分析对α-ZPMPP及其插层复合物进行了表征.研究表明,正丁胺的插入使层间距增大从1.52nm增加到1.97nm,插入的正丁胺在150~250℃可被脱除,正丁胺客体分子在主体底物中形成单分子层.

关键词: 插层性能 , 插层复合物 , 单分子层

晶态层状N,N-二乙酸亚氨基亚甲基膦酸-磷酸氢锆的制备及插层研究

牛丽明 , 傅相锴 , 杨新斌 , 陈静蓉 , 小平

功能材料

采用氢氟酸络合法合成了结晶度高的N,N二乙酸亚氨基亚甲基膦酸-磷酸氢锆(α-ZPPMIDA)层状晶体,层间距为1.477m.研究了正丁胺对α-ZPPMIDA的插层反应,用IR、XRD、TG-DSC热分析和元素分析对该插层复合物进行了表征.结果表明正丁胺在主体底物中呈双分子层,层间距增大了0.847nm.

关键词: N,N-二乙酸亚氨基亚甲基膦酸-磷酸氢锆 , 正丁胺 , 插层 , 双分子层

TiO2、MoO3、PEO四元掺杂的WO3电致变色薄膜材料的结构性质变化研究

, 傅相锴 , 温淑英 , 小平 , 傅宏

功能材料

首次报道用DTA,TG,IR,XRD研究了TiO2、MoO3、PEO四元掺杂的WO3电致变色薄膜材料的结构性质变化影响.研究表明掺杂TiO2、MoO3、PEO的材料改变了WO3的晶体结构,通过分析WO3的晶体结构得出掺杂的四元钨酸凝胶的最佳热处理温度应为200℃.

关键词: 电致变色薄膜材料 , 结构性质变化 , 掺杂 , 热处理温度

TiO2,MoO3,PEO掺杂的四元钨酸溶胶的稳定性研究

, 傅相锴 , 傅宏 , 小平

功能材料

首次制备了TiO2,PEO,MoO3掺杂的四元钨酸溶胶,用旋转粘度计研究了不同配方掺杂的钨酸溶胶稳定性,筛选出了最佳配方,该配方制备的四元掺杂的钨酸溶胶在室温下可以稳定保存两个月以上.由该配方钨酸溶胶制的WO3电致变色薄膜材料的成膜均匀,性能优良.

关键词: 溶胶 , 四元 , 掺杂 , 稳定性 , 粘度

铸造多晶硅小平面枝晶生长机制的研究

罗大伟 , 龙剑平 , 李廷举

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).005

近些年来由于低成本、低耗能和少污染等特点,铸造多晶硅已成为主要的光伏材料之一,越来越受到人们的广泛关注。但通过定向凝固工艺获得的粗大的晶体中存在大量的孪晶,认为孪晶就有可能对晶体生长起着主导作用。采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉对冶金级多晶硅进行了真空条件下的定向凝固实验,通过对定向凝固铸锭的观察和分析并结合国内外其它研究机构在此方面的研究,对铸造多晶硅中平行孪晶的生长机制和小平面枝晶的生长机制进行了详细的分析和讨论。

关键词: 铸造多晶硅 , 平行孪晶 , 定向凝固 , 生长机制

定向凝固Al-Y合金组织演化规律及小平面相生长*I. Al-15%Y过共晶合金组织演化规律

骆良顺 , 刘桐 , 张延宁 , 苏彦庆 , 郭景杰 , 傅恒志

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00619

对Al-15%Y (质量分数)过共晶合金在1~100 μm/s的抽拉速率下进行定向凝固实验, 研究抽拉速率对组织演化及Al3Y相生长规律的影响. 结果表明, 铸态Al-15%Y合金主要由Al3Y先析出相和Al3Y/Al共晶体组成. 在定向凝固过程中, 当抽拉速率为1 μm/s时, Al3Y相为不规则形状且边界清晰, 为小平面的生长特性. 随着抽拉速率的增加, Al3Y相的形貌逐渐转变为拉长的六棱柱形态, 其中少量的Al3Y相具有中空形貌. 当抽拉速率为10和20 μm/s时, Al3Y相按粗大的六棱柱形态生长. 进一步增加抽拉速率至100 μm/s时, 组织中出现“十”字形貌的Al3Y相, 为2个六棱柱垂直交叉结构, 类似枝晶的生长形式. 在抽拉速率增加的过程中, 固/液界面前沿逐渐出现领先相, 且凝固速率越大, 领先距离越长.

关键词: Al-Y过共晶合金 , 定向凝固 , 金属间化合物Al3Y , 组织演化

定向凝固Al-Y合金组织演化规律及小平面相生长Ⅰ.Al-15%Y过共晶合金组织演化规律

骆良顺 , 刘桐 , 张延宁 , 苏彦庆 , 郭景杰 , 傅恒志

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00619

对Al-15%Y(质量分数)过共晶合金在1~100 μm/s的抽拉速率下进行定向凝固实验,研究抽拉速率对组织演化及Al3Y相生长规律的影响.结果表明,铸态Al-15%Y合金主要由Al3Y先析出相和A13Y/Al共晶体组成.在定向凝固过程中,当抽拉速率为l μm/s时,Al3Y相为不规则形状且边界清晰,为小平面的生长特性.随着抽拉速率的增加,Al3Y相的形貌逐渐转变为拉长的六棱柱形态,其中少量的Al3Y相具有中空形貌.当抽拉速率为10和20 μm/s时,A13Y相按粗大的六棱柱形态生长.进一步增加抽拉速率至100μm/s时,组织中出现“十”字形貌的Al3Y相,为2个六棱柱垂直交叉结构,类似枝晶的生长形式.在抽拉速率增加的过程中,固/液界面前沿逐渐出现领先相,且凝固速率越大,领先距离越长.

关键词: Al-Y过共晶合金 , 定向凝固 , 金属间化合物Al3Y , 组织演化

定向凝固Al-Y合金组织演化规律及小平面相生长*II. Al-53%Y包晶合金组织演化规律

刘桐 , 骆良顺 , 张延宁 , 苏彦庆 , 郭景杰 , 傅恒志

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00620

对Al-53%Y (质量分数)包晶合金在1~100 μm/s的抽拉速率下进行定向凝固实验, 研究了合金组织演化及包晶合金中两相的竞争和生长行为. 结果表明, 铸态Al-53%Y合金的显微组织主要由初生Al2Y相、包晶Al3Y相和Al3Y/Al共晶体组成. 在低速1 μm/s定向凝固过程中, 初生相与包晶相均连续生长, 出现了平行于固/液界面的近似带状组织. 随着凝固距离的增加, 固/液界面处的领先相由初生Al2Y转变为包晶Al3Y, 固/液界面为粗大条形Al3Y相, 而无初生相. 在较高抽拉速率的定向凝固过程中, 随着抽拉速率的增加, Al2Y相由平界面生长转变为胞状形态, 后又转变为枝晶状. 包晶相Al3Y最初以锯齿状包裹在初生相表面, 同时在液相中以细针状直接析出, 抽拉速率越大, 包晶相Al3Y数量越多且尺寸越细小. 随着凝固距离的延长, 包裹初生相的包晶相厚度增加, 体积分数增大. 另外, 从液相中直接析出的Al3Y相逐渐长大, 由细针状变为短棒状、块状, 均匀分布在包晶组织周围并与之相连接.

关键词: Al-Y包晶合金 , 定向凝固 , 金属间化合物 , 小平面生长

定向凝固Al-Y合金组织演化规律及小平面相生长Ⅱ.Al-53%Y包晶合金组织演化规律

刘桐 , 骆良顺 , 张延宁 , 苏彦庆 , 郭景杰 , 傅恒志

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00620

对Al-53%Y(质量分数)包晶合金在1~100 μm/s的抽拉速率下进行定向凝固实验,研究了合金组织演化及包晶合金中两相的竞争和生长行为.结果表明,铸态Al-53%Y合金的显微组织主要由初生Al2Y相、包晶A13Y相和Al3Y/Al共晶体组成.在低速1 μm/s定向凝固过程中,初生相与包晶相均连续生长,出现了平行于固/液界面的近似带状组织.随着凝固距离的增加,固/液界面处的领先相由初生Al2Y转变为包晶AhY,固/液界面为粗大条形Al3Y相,而无初生相.在较高抽拉速率的定向凝固过程中,随着抽拉速率的增加,Al2Y相由平界面生长转变为胞状形态,后又转变为枝晶状.包晶相AhY最初以锯齿状包裹在初生相表面,同时在液相中以细针状直接析出,抽拉速率越大,包晶相Al3Y数量越多且尺寸越细小.随着凝固距离的延长,包裹初生相的包晶相厚度增加,体积分数增大.另外,从液相中直接析出的Al3Y相逐渐长大,由细针状变为短棒状、块状,均匀分布在包晶组织周围并与之相连接.

关键词: Al-Y包晶合金 , 定向凝固 , 金属间化合物 , 小平面生长

深过冷Al-70%Si合金的凝固特性与微观组织*

严军辉 , 坚增运 , 朱满 , 常芳娥 , 许军锋

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00553

通过电磁悬浮(EML)熔炼设备对Al-70%Si合金进行深过冷处理, 利用高速摄影仪(HSC)和SEM分别对凝固过程和凝固后的组织进行了观测, 研究了不同过冷度下初生Si的生长规律. 结果表明, 过冷度对初生Si的生长有很大影响. 当过冷度较小时, 初生Si为粗大的长条状, 有特殊的边和面, 且具有明显的孪晶痕迹, 表现出小平面生长的特征; 当过冷度较大时, 初生Si为细小的枝晶和球状晶, 表面光滑, 表现出非小平面生长的特征; 当过冷度居于中间时, 初生Si为粗大的块状和规则排列的枝晶状, 块状有特殊的边和面, 枝晶表面光滑, 表现出小平面和非小平面混合生长的特征. 随着过冷度的增加, 初生Si的生长方式由小平面生长转变为中间方式生长, 再由中间方式生长转变为非小平面生长, 生长方式间发生转变的临界过冷度分别为122 和230 K.

关键词: Al-70%Si合金 , 电磁悬浮 , 高速摄影仪 , 深过冷 , 初生Si , 生长方式

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