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基于BPNN的多相复合陶瓷材料断裂韧性预测

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2005.05.003

为有效缩短陶瓷材料设计中繁琐的试验过程,利用误差反向传播神经网络(BPNN)能够正确逼近非线性映射关系的优点,将其运用到多相复合结构陶瓷材料断裂韧性预测中,克服了陶瓷材料研究中单因素实验法不能正确反映断裂韧性与添加组分多因素之间复杂的非线性映射关系的弱点.对Al2O3/SiC/(W,Ti)C复合陶瓷材料断裂韧性的预测和试验验证表明,该方法可行有效,为快捷、经济地开发研制陶瓷材料提供了新的思路和有效手段.

关键词: BP神经网络 , 陶瓷材料 , 断裂韧性 , 预测

用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究

谢荣国 , 席珍强 , 马向阳 , 袁俊 , 杨德仁

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.010

采用HF/HNO3溶液化学腐蚀,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜,借助原子力显微镜(AFM)和X光电子谱(XPS)对其表面形貌和成分进行观察,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X＜2).采用带积分球的光度分光计,测得形成多孔硅减反射膜后,硅片表面反射率大大下降,,在波长330～800nm范围反射率只有1.5～2.9%.研究指出这种强减反射作用,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关.

关键词: 多孔硅 , 太阳电池 , 减反射膜 , 化学腐蚀

n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率

易俊 , 陈鹏 , 马向阳 , 杨德仁

材料科学与工程学报

通过霍尔效应测量、二次离子质谱等手段研究了n型硼-磷补偿直拉单晶硅的电子迁移率与掺杂浓度的关系.通过比较迁移率的实验测量值和由Klaassen迁移率模型得到的计算值,发现Klaassen模型适用于掺杂浓度在1018 cm-3数量级的补偿单晶硅电子迁移率的计算,但对掺杂浓度在1017cm-3数量级的补偿单晶硅而言则明显高估了电子迁移率.分析认为这是由于该模型未充分考虑低掺杂浓度情形下自由载流子对电离杂质的屏蔽作用由于杂质补偿受到的削弱效应.根据实验结果,修正了Klaassen模型,使之在低掺杂浓度的情况下获得的电子迁移率计算值也与实验值吻合得相当好.

关键词: 电子迁移率 , 补偿 , 硅

快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响

马强 , 杨德仁 , 马向阳 , 崔灿

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.015

本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).

关键词: 直拉硅单晶 , 氧沉淀 , 快速热处理工艺 , CMOS工艺

直拉硅单晶中氢行为的研究进展

李金刚 , 杨德仁 , 马向阳 , 阙端麟

材料导报

总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.

关键词: 氢 , 氧扩散 , 热施主 , 氧沉淀 , 空洞型缺陷

激光辐照对CdSe/PMMA纳米复合材料光致发光的影响

徐飞 , 马向阳 , 李东升 , 杨德仁

材料科学与工程学报

本文用共混法制备CdSe/PMMA纳米复合材料,用荧光光谱(PL)研究了该复合材料的发光性质.通过延长激光照射时间并进行原位PL跟踪测试,我们发现了该复合材料中有机物基体发光不断减弱而CdSe纳米粒子发光不断增强且稍许红移的现象.我们对于这一现象的起因做出了初步的解释.

关键词: CdSe , PMMA , PL , 纳米复合材料

氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响

曾徵丹 , 马向阳 , 陈加和 , 杨德仁

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.05.031

研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响.研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高.

关键词: 单晶硅 , 氧沉淀 , 维氏硬度