刘宏玉
,
吴开明
,
雷应华
,
高亮庆
,
黄刚
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2007.06.001
研究了非调质钢30MnVS奥氏体化后在400～600 ℃等温转变的组织构成及显微硬度变化;采用连续截面和计算机辅助重建法观察了铁素体的三维形貌.结果表明: 随处理温度的降低,针状铁素体量减少,贝氏体量增加;冷却速度的提高,有利于组织的细化并使针状铁素体数量增加.晶界铁素体在三维空间呈弯曲板状;晶内铁素体在夹杂物上形核,其三维形貌不同于二维的等轴状,而呈扁长片状,应归属于针状铁素体.
关键词:
30MnVS
,
非调质钢
,
铁素体
,
三维形貌
张克华
,
文东辉
,
袁巨龙
功能材料
衬底材料作为半导体照明产业技术发展的基石,是半导体照明产业的核心,具有举足轻重的地位,直接决定了LED芯片的制造路线.高亮度LED的半导体材料体系对衬底材料提出的要求比传统的LED更为严格.村底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间不匹配数,这些因素与高亮度LED的发光效率与稳定性密切相关.重点介绍几种典型材料与外延材料的晶格匹配及其加工要求,从材料制备难易程度和衬底与外延薄膜的化学稳定性对各种衬底材料进行比较分析,并对衬底材料的应用前景进行了预测.
关键词:
高亮度LED
,
半导体照明
,
衬底材料
郑智斌
,
彭万华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.02.011
InGaAlP超高亮LED是近年来发展的新型可见光LED， 具有发光效率高、 电流承受能力强及耐温性能好等特点， 应用于各种户外显示与照明装置。 本文汇集各厂家InGaAlP超高亮LED芯片， 并制成器件， 对其多种性能进行对比分析， 测试超高亮LED的发光强度与电流的关系以研究饱和电流的大小， 并进行电耐久性试验以考核超高亮LED芯片的可靠性； 简要介绍了封装工艺设计对超高亮LED性能参数的影响， 并提出超高亮LED性能及可靠性的其它要求， 为客户选用超高亮LED提供相对的依据。
关键词:
超高亮
,
LED
,
可靠性
,
饱和电流
鲍超
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.04.003
从原理上讨论了高亮度LED光强测试不确定性大的问题,大多数发光二极管不能被看作点光源,因此实际测量的是平均发光强度,它的测试结果与测试装置结构有关.为解决这个问题,CIE(国际照明委员会)制定并推荐标准测试条件A,B.介绍了根据CIE-127文件设计的平均LED发光强度测试仪;讨论了LED光通量和颜色测量问题,介绍了色温和相关色温测试的方法.对今后的测量和测试标准问题提出了意见.
关键词:
LED
,
平均发光强度
,
光通量
,
色度坐标
,
色温
,
相关色温
李玉璋
,
王国宏
,
马骁宇
,
曹青
,
王树堂
,
陈良惠
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.005
分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率.并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd.
关键词:
AlGaInP
,
发光二极管
,
低压有机金属气相外延
