周红
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应鹏展
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崔教林
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王晶
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高榆岚
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李亚鹏
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李奕沄
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1,而电导率则随温度迅速增大.在818 K时,其电导率达到最大值2.92× 103 Ω-1·m-1,热导率为0.50 W.K-1·m-1,最高热电优值ZT值达到0.33.
关键词:
CuIn5Se8
,
宽带隙半导体
,
热电性能
付红
,
应鹏展
,
颜艳明
,
张晓军
,
高榆岚
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.02.002
AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用.通过放电等离子烧结技术制备(AgSbTe2)0.405(Sb2-xCuxTe3)0.064(x=0,0.025,0.05,0.1,0.2)5种合金,观察其微观结构,并研究316-548 K温度区间内电学性能的变化.结果表明,x=0和x=0.025两种样品形成单相,其他3种样品都形成AgSbTe2和Sb2Te多相.掺杂不同比例的Cu元素后,各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低,当x=0.2时,样品的电学性能下降最明显.
关键词:
AgSbTe合金
,
掺杂Cu
,
微观结构
,
电学性能
崔教林
,
张晓军
,
李奕沄
,
高榆岚
稀有金属材料与工程
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料.但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32 eV减小到1.14 eV.掺杂后电学性能得到了大幅度的改善.最大功率因子由0.76×10-4增大到2.8×10-4 W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63.高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织.在温度高于500 K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系.
关键词:
α-In2Se3基半导体
,
禁带宽度(Eg)
,
热电性能
李天成
腐蚀与防护
为了明确榆济天然气管道内腐蚀原因,首先对榆济天然气管道输送天然气成分、清管记录等服役状况进行调研.其次针对管道内壁不同时钟位置的腐蚀状况进行宏观腐蚀形貌观察,使用扫描电镜(SEM)对腐蚀产物进行微观观察,使用X射线衍射(XRD)对腐蚀产物进行成分分析.结果表明,管道内部存在局部腐蚀,腐蚀产物以Fe2O3和FeCO3为主.因此CO2腐蚀是造成榆济天然气管道内腐蚀的主要原因.
关键词:
天然气管道
,
内腐蚀CO2
魏强邦
腐蚀与防护
3PE管道液体环氧涂料补口技术是一新型的管道补口技术,本文介绍了该技术的性能特点及其在我国重大工程项目榆济输气管线中的具体应用情况。实际工程应用表明,该技术很好地解决了环氧涂层同PE材料的粘结问题,具有施工方便、施工效率高、效果好的特点,是一种性能优异的3PE管道补口技术。
关键词:
3PE管道
,
管道补口
,
无溶剂环氧涂料
,
腐蚀防护
苏斌
,
李碧乐
,
汪志刚
,
刘万臻
黄金
doi:10.11792/hj20140403
粗榆金矿床大地构造位置位于华北克拉通北缘东段,主要容矿围岩为花岗岩、石英闪长岩及花岗闪长岩;控、容矿构造以区内NW向断裂为主。重点对不同阶段石英流体包裹体进行了包裹体岩相学、显微测温学和激光拉曼显微探针研究。成矿流体包裹体可分为气液二相包裹体和含CO2包裹体。气液二相包裹体成矿流体盐度为1.73%~11.23%,密度0.71~0.88 g/cm3,均一温度为233.1~304.4℃;含CO2包裹体成矿流体盐度为7.64%~10.87%,密度0.54~0.92 g/cm3,均一温度为268.9~340.4℃。激光拉曼光谱分析表明,流体气相成分主要为CO2和H2 O。稳定同位素研究结果表明,矿床成矿热液来源为幔源 C-H-O流体分异之后的岩浆热液。通过等容线图解法估算成矿压力为95~135 MPa,成矿深度为8.02~9.69 km。结合粗榆金矿床的地质特征,认为粗榆金矿床的成矿类型为中成造山型金矿床。
关键词:
流体包裹体
,
矿床成因
,
粗榆金矿床
,
吉林磐石
李天成
腐蚀与防护
榆林-济南输气管道某段受到严重的交流杂散电流干扰.利用公用走廊电磁干扰和接地分析的CDEGS软件进行交流干扰排流方案设计,根据设计结果采用水平锌带地床结合固态去耦合器的方式对管道进行排流施工.对比施工前后的数据,取得了良好效果.
关键词:
交流干扰
,
杂散电流
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排流
,
固态去耦合器