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采用普通注射成型(CIM)和振动保压注射成型(OPIM)两种方法制备茂金属全同立构聚丙烯(m-iPP)试样.利用二维广角X射线衍射(2D-WAXD)和差示扫描量热法(DSC)分别表征试样从表层到芯层的晶体结构和热行为.结果表明:(1)γ晶的相对含量是温度场控制和剪切场诱导共同作用的结果.慢的冷却速率有利于γ晶形成,剪切取向一定程度抑制分子链的折叠有利于γ晶形成;(2)DSC与2D-WAXD的试验结果有很好的一致性.

关键词: 茂金属全同立构聚丙烯 , 振动注射成型 , 剪切 , γ晶

X波段单片低噪声放大器芯片

彭龙新 , 周正林 , 蒋幼泉 , 林金庭 , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009

报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.

关键词: 微波单片集成电路 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路

张海鹏 , 魏同立 , 杨国勇 , 冯耀兰 , 宋安飞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.014

提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－ MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－ MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。

关键词: 自动体偏置 , 多阈值电压 , 高温 , SOICMOS电路

C波段单片低功耗低噪声放大器

彭龙新 , 李建平 , 林金庭 , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.027

报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.

关键词: 微波单片集成电路 , 低功耗 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

SiGe ECL电路时间延迟分析

李垚 , 金西 , 孔德义 , 魏同立

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.04.010

为保证ECL具有更好的电路性能,低温下制备SiGe HBT作为基本器件的SiGe ECL电路更适于低温应用,且传输延迟时间更小.

关键词:

MLS结构的电容-电压特性

张佐兰 , 郑茳 , 黄勤 , 陆祖宏 , 魏同立

材料研究学报

本文报导在Si 衬底上拉制聚酰胺LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。

关键词: LB膜 , C-V characteristics , insulator films

无规立构聚丙烯对全同立构聚丙烯流延基膜取向片晶结构及拉伸成孔性的影响

杨兴成 , 沈鹏 , 俞强

高分子材料科学与工程

将无规立构聚丙烯(a-PP)与全同立构聚丙烯(i-PP)共混改性树脂在一定流延工艺务件下制备流延基膜,经过热处理后施加单向拉伸作用使流延基膜转变为微孔膜;通过差示扫描量热分析、红外光谱、原子力显微镜及力学性能、孔隙率和透气率测试来表征流延基膜的取向片晶结构和微孔膜的孔结构.研究了添加无规立构聚丙烯对全同立构聚丙烯流延基膜取向片晶结构及拉伸成孔性的影响.结果表明,流延基膜中含有少量a-PP可以增强i-PP链段的运动能力,促进分子链沿牵伸方向取向,从而使流延基膜冷却结晶过程中形成的取向片晶结构比较完善.但是当流延基膜中含有较多a-PP时,其稀释作用和对链段松弛的促进作用使结晶度以及晶区和非晶区取向程度下降.热处理后流延基膜的取向片晶结构进一步改善,相对于未改性流延基膜,含少量a-PP流延基膜在120℃热处理可以取得未改性流延基膜在145℃热处理的效果.含少量a-PP流延基膜拉伸制备的微孔膜具有较大的孔隙率和透气率,但是随着流延基膜中a-PP含量增加,拉伸后制备的微孔膜孔隙率和透气率均下降.

关键词: 聚丙烯流延基膜 , 无规立构聚丙烯 , 取向片晶结构 , 硬弹性 , 拉伸成孔性

栅控单片宽带可变增益放大器

彭龙新 , 林金庭 , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.05.032

报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.

关键词: 单片集成电路 , 可变增益 , 赝配高电子迁移率晶体管