王惟林
,
刘训春
,
魏珂
,
郭晓旭
,
王润梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.011
选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果.
关键词:
GaAs/AlGaAs
,
ICP
,
选择刻蚀
陈震
,
魏珂
,
王润梅
,
刘新宇
,
刘训春
,
吴德馨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.024
比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min).
关键词:
通孔
,
感应离子耦合(ICP)
,
干法刻蚀
黄俊
,
魏珂
,
刘新宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.017
对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀.
关键词:
AIGaN/GaN
,
HEMT
,
凹栅槽
,
低损伤刻蚀
,
C2H4
刘继恒
,
赵明
,
钱得荣
,
阎胡成
金属学报
<正> 一般认为亚共析钢中魏氏组织降低机械性能,尤其是不利于冲击韧性。近年来研究结果则认为魏氏组织可以提高机械性能,也有人认为具有魏氏组织的亚共析钢,由于冷却速度快,增加了珠光体量,细化了铁素体晶粒,从而抵销了针状铁素体的不良影响。另一些人指出切变机制使针状铁素体中有较高密度的位错和较细的亚结构,提高了钢的机械性能。本文根据对裂纹扩展行为的观察,探讨铁素体影响钢的机械性能的原因。 本实验采用25铸钢作试样,其化学成分(wt-％)为:C 0.28,Si 0.37,Mn 0.61,S
关键词:
戎旭东
,
黄陆军
,
王博
,
唐骜
,
耿林
材料热处理学报
以提高魏氏体组织Ti60合金的拉伸强度与塑性为目标,研究固溶与时效处理对Ti60合金组织与性能演变的影响规律,并优化热处理参数.结果表明,初始魏氏组织晶粒较为粗大,经过固溶与时效处理后,晶粒明显减小,层片状α相明显减少.初始魏氏组织Ti60合金抗拉强度为850 MPa,伸长率为0.9％,1000℃固溶处理后,Ti60合金的抗拉强度达到1100 MPa,伸长率为3.7％.1000℃固溶+600℃8h时效处理后,抗拉强度达到1200 MPa,伸长率为3.3％.随固溶温度提高,其硬度与抗拉强度增加,伸长率降低.随时效时间延长,硬度先增大后减小.经1050℃固溶+600℃8 h时效处理后Ti60合金具有最大硬度值509 HV.
关键词:
Ti60合金
,
热处理
,
魏氏体组织
,
拉伸性能
叶飞
,
张文征
金属学报
介绍了获得满足△ｇ平行法则的位向关系、惯习面、正空赣 倒空间准不变应变线的计算方法, 解释了高锰钢中先共析魏氏组织渗大体在奥氏体晶内析出时的Ｐｉｔｓｃｈ和Ｔ－Ｈ的位向关系惯习面上的晶格匹配示意图.
关键词:
△g平行法则
,
null
,
null
