何鹤林
,
黄光荣
,
范志明
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2004.02.008
双介质淬火是钢件淬火重要方法之一,在双介质淬火中从一种介质中冷却转至另一种介质冷却的适当时刻是获得良好效果的关键.根据现有淬火介质冷却速度特性曲线,建立数学模型,计算出换热系数h,从而计算出冷却过程的时间,为完善和发展双介质淬火工艺开拓了新的途径.
关键词:
淬火
,
双介质
,
冷却时间
,
计算方法
瞿发俊
,
徐华
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
功能材料
用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,并对薄膜的结构和光致发光(PL)性质进行了研究.XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构;用XPS对样品进行了表征,在397.8eV位置处出现一个对应于N1s的对称峰,表明样品中的N原子主要与Si原子结合,FTIR的实验结果也说明了这一点.光吸收测量结果显示SiOxNy薄膜的光学带隙比Si-SiO2薄膜宽.在225nm波长的激发下,测得在590nm处有强的黄光发射,并利用能带模型讨论了可能的发光机制.
关键词:
硅氮氧薄膜
,
光学带隙
,
光致发光(PL)
汪津
,
姜文龙
,
王静
,
丁桂英
,
王立忠
,
韩强
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.009
制作了在N,N'-diphenyl-N,N'-bis-1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)和aluminium tris-8-hydroxy-quinoline(Alq3)中分别掺杂黄色荧光染料5,6,11,12,-tetraphe-nylnaphthacene(Rubrene)的双发光区有机黄光电致发光器件.器件的结构为ITO/NPB(30 nm)/NPB:Rubrene(20 nm)/Alq3:Rubrene(20 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.8 nm)/Al.NPB作为空穴传输层材料,Alq3作为电子传输材料,NPB和Alq3中掺杂Rubrene的浓度分别为0.9%和1.4%.实验结果表明,由于Rubrene具有较强的载流子俘获能力,而且在Alq3和NPB层中进行掺杂,相对于单掺杂层器件为Rubrene提供了更多的俘获空位,从而提高了器件的性能.
关键词:
有机电致发光
,
发光效率
,
双发光层掺杂
张微
,
张方辉
,
黄晋
,
张思璐
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.028
主要通过红绿磷光材料R-4B和GIr1掺杂的方法,制备了黄光OLED器件,器件结构为ITO/MoO3(X)/NPB (40nm)/TCTA(10nm)/CBP:GIr1 14％:R-4B2％ (30nm)/BCP(10nm)/Alq3 (40nm)/LiF(1 nm)/ Al(100nm),TCTA和BCP分别为电子和空穴阻挡材料,同时结合TCTA和BCP对载流子的高效阻挡作用,研究了MoO3对器件效率和稳定性的影响.发现当增加MoO3的厚度为90nm时,在较大的电压范围内,器件都具有较高的效率和色坐标稳定性.在电流密度为7.13mA/cm2时,器件达到最高电流效率29.2cd/A,亮度为2081cd/m2;电流密度为151.7mA/cm2时,获得最高亮度为24430cd/m2,电流效率为16.0cd/A;器件色坐标稳定性较好,当电压为5、10、15V时,色坐标分别为(0.5020,0.4812)、(0.4862,0.4962)、(0.4786,0.5027).器件性能的改善主要归因于载流子注入与传输的平衡以及阻挡层对发光区域的有效限定.
关键词:
有机电致发光器件
,
磷光
,
色稳定性
,
氧化钼
郑华靖
,
陆海川
,
蒋亚东
,
阮政
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.09.032
制备以TPB3TSi为发光材料的黄色发光器件.实验表明,当TPB3 TSi薄膜厚度为20nm时,器件的发光谱峰位于580nm,其双层和3层器件的最大亮度分别达到7507.6和1385cd/m2(17V电压下),但是器件的电流较大,造成了器件的发光效率偏低,其原因是TPB3TSi材料本身的电荷陷阱(所谓陷阱指的是拥有比母体更容易接受电子或者空穴的能级的位置)较多,荧光效率低,从而降低了器件的效率.
关键词:
有机发光二极管
,
黄光
,
TPB3TSi
,
最大流明效率
梁李敏
,
解新建
,
郝秋艳
,
田园
,
刘彩池
人工晶体学报
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理.用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化.实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化.在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的.800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关.
关键词:
GaN
,
辐照缺陷
,
黄光带
,
电子浓度
