齐建全
,
贾宏耀
,
骆佳丽
,
谢威
,
钟瑞霞
,
韩秀梅
,
马振伟
,
董晓瑜
,
吴音
人工晶体学报
利用钛酸四丁酯、硝酸锆、氢氧化钡为原料在室温下,直接合成了颗粒尺寸均匀,组分连续可调的高性能锆钛酸钡纳米粉体.在此基础上,通过添加不同比例的Bi2O3和Li2CO3为助烧剂,实现了900℃下的陶瓷的超低温烧结.确立了烧结时间与陶瓷微观结构之间的相关性.研究表明,助烧剂的加入,可以使介电峰强烈地向低温方向移动,室温介电常数可大于5000以上.某些情况下使介电峰分裂,由单一峰变为明显的双峰,这样使得介电常数的温度稳定性得到提高.
关键词:
BZT
,
直接合成
,
介电
,
低温烧结
龚文丽
,
钟瑞霞
,
齐建全
,
刘自然
,
张晓燕
人工晶体学报
利用高温固相法制备了EH3+、Sm3单掺杂及共掺杂的SrIn2O4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn2O4∶ Eu3+、SrIn2O4∶ Sm3+、SrIn2O4∶ Eu3+,Sm3+进行表征.结果表明,SrIn2O4∶ Eu3+在近紫外光395 nm激发下能够有效的产生616 nm的红光发射.在SrIn2 O4∶Sm3+体系中发现,该系列样品适合于407 nm的紫光激发,发射峰位于607 nm.在SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+体系中,通过光谱分析发现,基质中存在Eu3和Sm3激活剂之间的相互能量传递过程.该能量传递过程使SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+更适合于390~410 nm紫外芯片激发的LED用红色荧光粉.
关键词:
近紫外激发
,
红色荧光粉
,
SrIn2O4
,
Eu3+,Sm3+
孙黎
,
齐建全
,
吴音
,
杜鹏
,
李龙土
稀有金属材料与工程
分别采用钛酸四丁酯(无水乙醇作为溶剂)和稳定的四氯化钛(蒸馏水作为溶剂)为两种钛源,以加糖热解法[1]在不同的温度下处理得到二氧化钛粉体,并利用扫描电镜和X射线衍射对粉体微观结构和晶型进行分析.结果表明,两种制备方法得到的粉体晶粒尺寸均一,在50 nm左右.而锐钛矿和金红石型的成相温区存在明显差异:前者在300到500℃之间合成出较纯的锐钛矿相,600到700℃之间完成锐钛矿到金红石型的晶相转变;后者300℃就已经形成较好的锐钛矿结晶相,晶相转变发生在700到900℃之间.而两种方法的成相温度均低于一般方法.
关键词:
二氧化钛
,
纳米粉体制备
,
加糖热解法
齐建全
,
李龙土
,
樊亦伟
,
王永力
,
桂治轮
无机材料学报
通过B2O3蒸汽掺杂,Y-BaTiO3陶瓷的烧结温度大幅度降低。B2O3蒸汽掺杂后的样品,室温电阻率下降,升阻比提高,通过对氧化硼蒸汽掺杂样品的XRD分析研究表明,硼间隙可以在钛酸钡晶格中存在,硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应。
关键词:
B2O3
,
BaTiO3
,
PTCR
,
Vapor doping
,
Low temperature sintering
杜鹏
,
齐建全
,
孙黎
,
李龙土
稀有金属材料与工程
采用浆液合成法和加糖热解法分别合成了具有层状结构和正常钙钛矿结构的Na_0.5Bi_0.5TiO_3纳米粉体.两种粉体以不同比例混合烧结成瓷,性能测试表明,当以1:1的比例混合时,陶瓷的烧缩率达到最大值,击穿场强达到最大值,压电常数d_(33)=75×10~(-12) C/N.浆液合成法制备的粉体获得的陶瓷,压电常数达到最大值,d_(33)=88×10~(-12) C/N.加糖热解法制备的粉体获得的陶瓷d_(33)=65×10~(-12) C/N.两种方法制备的粉体及其混合所制备的陶瓷,均得到比较好的压电性能.
关键词:
Na_0.5Bi_0.5TiO_3
,
纳米
,
浆液合成法
,
加糖热解法
齐建全
,
李龙土
,
朱青
,
王永力
,
桂治轮
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.029
钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关.在高温下B2O3具有较高的蒸汽压,通过B2O3蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素B的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,同时室温电阻率也有所增加.B2O3蒸汽掺杂BaTiO3基材料的PTCR效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成.
关键词:
B2O3
,
BaTiO3
,
PTCR
齐建全
,
桂治轮
,
王永力
,
李琦
,
李龙土
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.036
在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化.采用Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高,获得了室温介电常数>25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料.合成后掺杂的Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关.合成前掺杂Yb2O3的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子得到补偿的结果.
关键词:
Yb2O3
,
Ba(Ti1-yZry)O3
,
介电性能