蔡宏琨
,
张德贤
,
冯凯
,
齐龙茵
,
王雅欣
,
孙云
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.005
本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.
关键词:
太阳电池
,
微晶硅
,
非晶硅
纳宏波
,
许绿丝
材料导报
通过研究添加纳米ZnO和纳米Ag-ZnO复合物的3种抗菌塑料PP、TPE、AS的抗茵性能,分析了纳米抗茵材料的类型、添加量以及塑料基体对抗茵性能的影响.结果表明:随着纳米材料含量的增加,抗茵性能逐渐增强.在纳米ZnO的添加量为1.5%时,抗茵率均在95%以上;纳米Ag的加入在一定程度上增强了塑料的抗茵性能.纳米Ag-ZnO的添加量为1.5%时,抗茵率在97%以上.3种塑料相比,PP塑料在添加纳米抗茵材料后抗茵效果最好.
关键词:
抗菌纳米塑料
,
纳米Zn0
,
纳米Ag-ZnO
赵玉清
,
朴永哲
,
孙天竹
,
杨洪泽
,
海华
,
李晋
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.03.014
为了解决环境中镉污染问题,研究了实验室培养的嗜镉茵吸附镉的条件和机理,讨论了时间、镉离子的质量浓度和菌液的质量浓度对吸附效果的影响.试验结果表明:在一定试验条件下.吸附时间1.5 h,吸附趋于平衡,镉离子吸附率可达80%;嗜镉茵对镉的最低吸附量为10 mg/g,最高吸附量可达50 mg/g.红外表征表明:嗜镉茵表面多糖、蛋白质的羟基峰和羰基峰均有不同程度的紫移,且糖苷峰、羟基峰的峰宽略增,说明菌体吸附主要是表面基团的作用所致.原子力显微镜表征可见,吸附后的茵体略收缩.这进一步说明该吸附是以表面基团作用为主的过程,在一定程度上对茵细胞内部的胁迫吸附有影响.
关键词:
嗜镉菌
,
镉离子
,
吸附条件
,
机理
雅菁
,
鄂磊
,
辛颖
,
刘志锋
,
徐延献
材料导报
采用化学沉淀法制备纳米TiO2-xNx粉体,使粉体的禁带宽度变窄,在可见光下表现出较高的抗茵率(32%).再采用浸渍法制备掺Fe的TiO2-xNx粉体,实现TiO2粉体的金属一非金属双掺杂.Fe-TiO2-xNx粉体在可见光下的抗茵率随着掺Fe量的增加呈先增加后减小的趋势,当掺杂量为0.5%(原子分数)时抗茵活性最高,达71%.
关键词:
掺杂
,
抗菌活性
,
TiO2
,
可见光
马淮凌
,
曹广秀
,
韦秀华
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.01.020
对格列齐特在缓冲溶液中的电化学行为进行了研究,提出了一种灵敏、快速测定格列齐特的新方法为平行催化氢波法. 在NH3H2O-NH4Cl (pH=8.89±0.1)支持电解质中,格列齐特产生1催化氢波,峰电位Ep=-1.49 V(vs.SCE). 加入氧化剂K2S2O8后,该催化氢波被催化,峰电流增加约30倍,峰电位基本不变,产生1较灵敏的平行催化氢波. 其二阶导数峰峰电流i'p与格列齐特浓度在1.0×10 -8 ~6.0×10 -6 mol/L范围内呈线性关系(r=0.997 0,n=10),检出限为5.0×10 -9 mol/L. 测定了片剂中格列齐特的含量,并对加标尿样进行了回收实验,结果准确、可靠,可用于药物制剂中格列齐特含量的测定.
关键词:
格列齐特
,
过硫酸钾
,
平行催化氢波