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With an electric field during austenitizing, the martensite transformation of the low carbon steel was promoted, and more martensite were obtained. The electric field promotes the homogeneity of carbon, and reduces the free energy of austenite. The critical neuclus r^* and the critical driving force G^* responsible for the nucleation of proeutectoid ferrite were increased. As a result of which the diffusion controlled proeuctoid ferrite transformation was retarded and the hardenability was improved.

关键词: austenization , null , null

SEMI-SOLID MICROSTRUCTURE AND ITS EVOLUTION OF WROUGHT ALUMINUM ALLOY BY DIRECTLY HEATING-ISOTHERMAL TREATMENT

X.T.Liu , J.Z.Cui

金属学报(英文版)

Microstructure evolution of wrought aluminum alloy extruded rods and the mechanism of liquid phase formation during reheating were investigated. And the relation between the volume fraction of liquid phase and the recrystallization microstructure was proposed. The results show that increase in reheating temperature and time can augment the volume fraction of liquid phase and accelerate the grain spheroidization, as a result of which the requirement of semi-solid forming can be satisfied. Due to the higher aberration energy of grain boundary, the melting point is lowered as a result of the easy diffusion of atoms. At higher reheating temperature the grain boundary melts, the growth of the recrystallized grain is inhibited and the grain is refined. The composition of the low melt-point phase along the recrystallized grains was determined using EDS. It can be seen from the experimental results that when the extrusion rod of the wrought aluminum alloy is reheated at 610℃ for 20min, perfect fine equiaxial grains can be obtained, the average grain size is about 66.34μm and the volume fraction of solid phase is about 68%.

关键词: wrought aluminum alloy , null , null

As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成和结构研究

陈玮 , 程继健

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.004

为了探索新的透红外材料,本文研究了As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成区,制备了一系列不同AsTe和CuI含量的玻璃. 研究表明:该系统玻璃的形成范围相当大,As2Se3-AsTe二元系统可以任何比例形成玻璃,As2Se3-CuI和AsTe-CuI二元系统, 当CuI含量分别达70和40mol%时,仍可形成稳定的玻璃, 直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到. 研究了部分玻璃样品的远红外光谱,结果表明:该系统玻璃的结构单元主要是:[As(SeTe)3-xIx] (x=0～3)、[As2Te4]和[CuI4],随玻璃的成分不同,这些结构单元的相对比例也不同,根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型.

关键词: 硫系卤化物玻璃 , 玻璃形成 , 玻璃结构 , 红外透射材料

离子液体对CuI固体电解质色素增感太阳能电池性能的影响

刘丽红 , 胡志强 , 张晨宁 , 高岩 , 卢珊珊

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.012

应用浸渍涂膜法制备了CuI固体电解质薄膜,组装了DSSC电池.用扫描电镜观察了CuI薄膜的表面形貌,四探针电阻仪测定了CuI薄膜的电阻率,XJCM-8太阳电池测试仪测试了DSSC电池的性能结果表明:添加适量的离子液体可以有效地抑制CuI晶粒的生长;提高CuI晶粒与多孔TiO2薄膜孔径尺寸的相配度;减小CuI薄膜的电阻率.这些都是影响CuI固体电解质色素增感太阳能电池性能及稳定性的重要因素.

关键词: TiO2薄膜 , 离子液体 , CuI固体电解质 , 色素增感太阳能电池

多晶形γ-CuI晶体的制备与导电性能表征

刘飞 , 祝博 , 王晓丹 , 曹建新

人工晶体学报

以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体.采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响.结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI.按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2h可制备出六边形薄片状γ-CuI.不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响.纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9 Ω·cm.

关键词: γ-CuI晶体 , 电导率 , 液相法 , 微乳液法

As_2Se₃-AsTe-CuI系统玻璃的形成和结构研究

陈玮 , 程继健

无机材料学报

为了探索新的透红外材料，本文研究了As₂
Se₃－AsTe－CuI系统玻璃的形成区，制备了一系列不同ASTe和CuI含量的玻璃．研究表明：该系统玻璃的形成范围相当大，AS₂Se₃－ASTe二元系统可以任何比例形成玻璃，AS₂Se₃－CuI和AsTe-CuI二元系统，当CSI含量分别达70和40mol％时，仍可形成稳定的玻璃，直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到．研究了部分玻璃样品的远红外光谱，结果表明：该系统玻璃的结构单元主要是：［AS（SeTe）_3-xI_x］（x＝0～3）、［As₂Te₄］和［CuI₄］，随玻璃的成分不同，这些结构单元的相对比例也不同，根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型．

关键词: 硫系卤化物玻璃 , null , null , null

微乳液法制备六边形薄片状γ-CuI晶体的研究

刘飞 , 祝博 , 王晓丹 , 曹建新

材料导报

以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体.采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响.结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制备的γ-CuI晶相组成和晶体形状没有太大影响,但对晶体尺寸具有较大影响.适宜的微乳液制备工艺条件能产生适当的界面膜强度,有效控制碘化压铜晶体尺寸.CTAB-正戊醇-环己烷-水体积比为3∶3∶7∶10,硫酸铜溶液0.1mol/L和碘化铵溶液0.2mol/L,常温下500r/min搅拌2h合成产物为六边形薄片状γ-CuI.

关键词: γ-CuI微乳液法 , 六边形薄片状 , 晶体尺寸 , 微观形貌

CuI半导体膜的电化学制备与性质

王钦忠 , 汪正浩

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.10.020

用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的. 利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质. 研究发现,溶液pH值对CuI半导体膜的阻抗有较大的影响,pH值越小则电化学反应电阻就越大;同时,溶液的pH值也对CuI半导体膜电极的表面态有着较大的影响,pH值越大表面态密度越大. 在pH值为0的Na2SO4溶液中测得CuI半导体的Efb为0.023 V(vs.SCE).

关键词: CuI半导体 , 交流阻抗 , 平带电位

γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐 , 顾牡 , 何徽 , 畅里华 , 温伟峰 , 李泽仁 , 陈亮 , 刘金良 , 欧阳晓平 , 刘小林 , 刘波 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160262

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex＜49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.

关键词: γ-CuI晶体 , 超快闪烁体 , 衰减时间 , 能量响应