PR.Dhar
,
K.Bamzai and PN.Kotru (Dept. of Physics
,
University of Jammu
,
Jammu-180004
,
India)
材料科学技术（英文）
Results on fracture toughness of natural apophyllite crystals when subjected to impact are presented. The morphology of the cracks and fracture has been studied. It is found that the crack formation does not show any anisotropic property and remains the same whatever may be the orientation of the crystal. The average values of the fracture toughness KC and brittleness index, as determined from measurements of crack length, are estimated to be 0.107 gμm-3/2and 4.19μm-1/2 respectively for the a(100) plane. The yield strength forα(100), p(111) and c(001) planes of apophyllite crystals for lower loads is 2250. 2160 and 1840 MPa and for higher loads is 1510, 1600 and 1430 MPa respectively
关键词:
杨金瑞
,
余尚先
,
顾江楠
高分子材料科学与工程
通过对resol(羟甲基酚化合物和低分子量羟甲基酚树脂)DEPT135图谱的分析讨论,得到一系列计算resol微细结构参数的经验公式.根据DEPT135图谱可判断是否发生缩聚反应,根据经验公式可计算酚单体各个活性点参与反应百分率或酚羟基导入率、不同类型缩聚所占百分率及低分子量羟甲基酚树脂的平均核体数.
关键词:
羟甲基酚化合物
,
羟甲基酚树脂
,
DEPT135
,
结构参数
王明存
,
魏柳荷
,
赵彤
高分子材料科学与工程
研究了炔丙基改性酚醛树脂(PN)作为复合材料基体的工艺性和耐热性,及PN石英布层合板的力学性能和耐热性.结果表明,PN树脂适用于RTM、模压等多种成型过程;PN树脂浇铸体玻璃化温度在330℃～380℃;PN石英布层合板的力学性能比普通酚醛树脂层合板有明显提高,其中材料力学性能随炔丙基含量增大而趋于降低;PN石英布层合板的耐热性(玻璃化温度超过360℃)远高于普通酚醛树脂层合板(玻璃化温度低于280℃).
关键词:
酚醛树脂
,
炔丙基
,
复合材料
,
力学性能
,
耐热性
季振国
,
周荣福
,
毛启楠
,
霍丽娟
,
曹虹
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
关键词:
透明半导体薄膜
,
锡锑氧化物
,
PN结
杨阳
,
孙甲明
,
张俊杰
,
张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响.随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级.在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰.随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应.
关键词:
束缚激子
,
离子注入
,
硼
,
退火
,
调制掺杂
李斯
,
高宇晗
,
梁峰
,
李东升
,
杨德仁
材料科学与工程学报
采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究.结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰的强度随注入电流增加呈指数增长.在低温光致发光谱中没有出现与缺陷相关的发光峰,在高分辨截面透射电镜照片中也没有发现位错或位错环等缺陷.0.78eV发光峰可能是由于大量硼扩散进入硅晶格内产生的应力造成带隙变化,注入的载流子在此处进行辐射复合产生的.
关键词:
扩硼
,
硅pn结发光二极管
,
近红外电致发光
