YU Zhenjiang
,
YANG Dequan
,
XIE Xie
,
YAN Rongxin
,
FAN Chuizhen
,
Lanzhou Institue of Physics
,
Ministry of Aeronautical Industry
,
Lanzhou
,
China
金属学报(英文版)
The carbon layers on implanted steel surface have been studied by means of Auger spectra. It is shown that the thickness of the carbon layer is proportional to the dose of implanted ions. By comparison with the results of friction and wear tests, the friction coefficient is smaller than 0.20 at the first part of the friction coefficient curve. It is considered that the graphitic carbon layer on the top of steel is helpful to reducing the surface friction coefficient of steel.
关键词:
nitrogen ion implantation
,
null
,
null
,
null
古松
,
刘杰
,
刘天奇
,
张战刚
,
姚会军
,
段敬来
,
苏弘
,
侯明东
,
罗捷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.353
宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注.利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 MeV的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μn体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究.实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR(E)ME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转.
关键词:
质子
,
单粒子翻转
,
核反应
,
CR(E)ME-MC模拟
