付雪涛
,
马通达
,
王书明
,
张崇宏
,
张丽卿
,
王新强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.022
利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1 × 1015/cm2和5×1015/cm2.经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(1012)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生移动,表明电子辐照使GaN外延层发生了部分应变弛豫.利用电子背散射衍射(EBSD)对应变弛豫进行了表征.EBSD结果显示,剂量为5×1015/cm2的电子辐照相对于1×1015/cm2的电子辐照可诱导GaN外延层发生更为显著的应变弛豫.卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)实验结果表明,5×1015/cm2的电子辐照对GaN外延层引入更为严重的辐照损伤.上述实验结果表明,GaN外延层的应变弛豫与2 MeV的电子辐照引入的缺陷如弗伦克尔对有关.运用弹性原子链模型(EACM)对电子辐照诱导GaN外延层应变弛豫机制进行了讨论.
关键词:
氮化镓异质结
,
应变弛豫
,
电子辐照
,
弹性原子链模型
彭响方
,
刘婷
,
兰庆贵
,
周南桥
材料导报
微孔发泡注塑是指微孔泡沫塑料的注射成型,即泡孔直径为0.1～10μm,密度为109～1015个/cm3的新型泡沫塑料注射成型技术.详细介绍了微孔发泡注塑技术的成型原理与工艺过程和该技术的发展历程以及最新的进展.
关键词:
微孔泡沫塑料
,
注塑
,
发展历程
张丽新
,
徐洲
,
何世禹
材料研究学报
用空间辐照环境模拟设备对甲基硅橡胶进行了质子辐照试验。辐照能量为200keV，辐照剂量范围为1014-1016cm-2。利用热发光和热激电流分析方法，研究了硅橡胶质子辐照前后载流子陷阱能级ΔE及载流子类型的变化规律。研究结果表明：当辐照剂量小于1015cm-2时，ΔE下降，当辐照剂量超过1015cm-2后，ΔE上升。硅橡胶原始样品中主要载流子类型是电子型的。当质子辐照剂量超过5×1014cm-2后，主要载流子类型转变为空穴型。辐照剂量继续增加，载流子类型又有向电子型转变的趋势。
关键词:
有机高分子材料
,
rubber
,
thermoluminescence
莫亚娟
,
王晓丹
,
曾雄辉
,
高崴崴
,
王建峰
,
徐科
人工晶体学报
采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理.深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件.结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象.
关键词:
GaN薄膜
,
离子注入
,
阴极荧光谱
王凤
,
徐向俊
,
林均品
,
叶丰
,
王艳丽
,
王兴
,
陈国良
稀有金属材料与工程
在Gleeble-1500热模拟试验机上对高铌TiAl合金进行等温热压缩试验,研究其热压缩变形的流变应力行为.压缩试验的形变温度为900～1250℃,形变速率为5×10-4～1s-1,工程压缩应变为50%和80%.用Zenner-Hollomon参数的指数函数能较好地描述该合金高温变形时的流变应力行为;所获得的峰值应力热变形方程为Op=197.61n{(Z/9.59×1015)0.285+[(Z/9.59×1015)0.570+1]1/2},其变形激活能为(497±49)kJ/mol.本研究还给出了铸造高铌TiAl合金热变形抗力图.
关键词:
高铌TiAl合金
,
高温变形
,
流变应力
,
热变形激活能
张丽新
,
徐洲
,
何世禹
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.01.012
用空间辐照环境模拟设备对甲基硅橡胶进行了质子辐照.辐照能量为200keV,辐照剂量范围为1014～1016cm-2.用热发光和热激电流分析方法,研究了硅橡胶质子辐照前后载流子陷阱能级△E及载流子类型的变化规律结果表明:当辐照剂量小于1015cm-2时,△E下降;当辐照剂量超过1015cm-2后,△E上升硅橡胶原始样品中主要载流子类型是电子型.当质子辐照剂量超过5×1014cm-2后,主要载流子类型转变为空穴型.辐照剂量继续增加,载流子类型又有向电子型转变的趋势.
关键词:
有机高分子材料
,
橡胶
,
质子辐照
,
热释光与热释电
,
陷阱能级
,
载流子类型
石瑛
,
付德君
,
林玲
,
蒋昌忠
,
范湘军
功能材料
在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层.用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2.对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30～90s.样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析.未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015～5×1016ions/cm2).结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+ 注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+ 注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制.
关键词:
GaN
,
离子注入
,
磁性
石瑛
,
蒋昌忠
,
付强
,
范湘军
功能材料
在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层.对p型GaN薄膜用180keV的Mn+离子注入进行磁性粒子掺杂,注入时GaN薄膜处于300℃,注入剂量分别为5.0×1015、1.0×1016和5.0×1016cm-2.对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理,温度为850℃,时间为30s.用超导量子干涉仪(SQUID)对样品的磁性进行了分析,在5.0×1015cm-2的注入样品中发现了较强的铁磁性;而1.0×1016和5.0×1016cm-2的Mn+离子注入样品中铁磁响应有所减弱.结合用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对在不同剂量下Mn+注入GaN薄膜的结构、形貌和成分的分析,揭示了不同剂量磁性离子注入给GaN薄膜带来的结构、形貌和相应的铁磁性变化规律,发现只有适当的注入剂量(5.0×1015cm-2)才有利于在300℃下用180keV的Mn+注入对p型GaN薄膜进行磁性离子掺杂.
关键词:
GaN
,
离子注入
,
注入剂量
,
铁磁性
桂强
,
王立军
,
张国祥
,
张淑兰
金属功能材料
本文利用透射电子显微镜对进口和国产非晶带材的非晶化程度进行了精确测定.结果表明,XRD实验只能粗略的判定材料是否为非晶态；进口带材在熔淬态下为完全的非晶态,而国产带材并非完全的非晶态,其磁性相α-Fe(Si)的尺寸为100nm左右,数量密度大约为1015 m-3数量级.
关键词:
非晶带
,
晶粒
,
数量密度
,
透射电子显微镜
