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包含等离子体辅助沉积参数和离子刻蚀作用过程的结构区域相图

André Anders

中国表面工程 doi:10.11933/j.issn.1007-9289.2016.01.001

文中提出一种扩展的薄膜微观结构的区域相图,可以用其来表征过滤阴极弧以及高功率脉冲磁控溅射镀膜过程中含有大量离子流的动态沉积过程.其坐标轴包括广义同系温度,标量化动能以及可以表征离子刻蚀作用的净膜厚.需要强调的是,由于影响薄膜生长的实际参数要远超相图中有限的坐标轴数,因此该结构区域相图展示的生长条件与薄膜结构之间的关系是近似和简化过的.

关键词: 结构区域相图 , 薄膜制备 , 等离子体辅助 , 离子刻蚀 , 应力 , 形貌 , 同系温度 , 位能与动能

在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象

张波 , 田明亮 , 张裕恒

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.06.001

我们测量了纯2H-NbSe2单晶样品在磁场下的直流电输运行为,得到了有重入现象的电阻随磁场变化R(H)、电阻随温度变化R(T)以及临界电流随磁场变化Ic(H)关系曲线.我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势,得到了上、下表面重入不同步的新结果,这个新的实验结果可以由磁通动力学理论,结合Anders on磁通蠕动模型给予很好的解释.

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