熊超
,
肖进
,
丁丽华
,
陈磊
,
袁洪春
,
徐安成
,
周详才
,
朱锡芳
,
潘雪涛
功能材料与器件学报
本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究.研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域.由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8V时,导电机理为空间电荷限制电流导电.同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性.
关键词:
ZnO/n-Si异质结
,
I-V特性
,
C-V特性
,
内建电势
,
界面态
肖胜
,
徐克西
,
刘石香
,
付华明
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.04.009
从磁通运动图象出发,推导了YBa2Cu3O7-δ(YBCO)颗粒膜的I-V特性关系式,并从实验上加以验证,结果表明:在TI-V表现出很强的非线性,样品主要是非欧姆损耗;在T>TKT时,I-V呈线性关系,样品以欧姆损耗为主;而在T=TKT时,I-V将出现突变,这跟K-T相变模型所描述的一致.
关键词:
宋扬
,
陆晓东
,
王泽来
,
赵洋
,
吕航
,
张宇峰
人工晶体学报
暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据.
关键词:
晶硅电池
,
暗I-V特性曲线
,
理想因子
,
杂质
,
缺陷
王泽温
,
介万奇
功能材料
分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155c I-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F:10%H2O2:H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%.随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小.
关键词:
Al/Hg1-xMnxTe
,
Au/Hg1-xMnxTe
,
欧姆接触
,
肖特基接触
王华
,
李岩
功能材料
采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜的漏导机制不同,而且正向和负向电场作用下I-V曲线明显不同,正向漏电流明显小于负向漏电流.电压低于2V时,薄膜以欧姆导电机制为主,电压在2～5.4V(加正向电压)或2.2～3.6V(加负向电压)时,BIT薄膜应以Schottky emission导电机制为主;而对于较高的场强下,BIT薄膜以Space-charge limited currents(SCLC)导电机制为主.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4Ti3O12
,
漏导机制
,
I-V特性
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
The local structures for V2+ in CsMgX3 (X = Cl, Br, I) are theoretically investigated from the perturbation formulas of the EPR parameters (zero-field splitting, g factors and the hyperfine structure constants) for a 3d(3) ion in trigonal symmetry based on the cluster approach. In these formulas, the contributions from the s-orbitals of the ligands, which were usually neglected in the previous treatments, are considered here. Based on the Studies, we find that the local angles beta (between the impurity-ligand bonding lengths and the C-3 axis) in the V2+ centers are larger than the angles beta(H) in the hosts, leading to the positive angular distortions Delta beta (= beta - beta(H)). The theoretical EPR parameters (particularly the results for CsMgI3) show improvement compared with those in absence of the ligand s-orbital contributions or the above angular distortions. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
关键词:
electron paramagnetic resonance (EPR);defect structure;crystal- and;ligand-fields;V2+;CSMgX3 (X = Cl, Br, I);atomic screening constants;superposition model;scf functions;cr3+;ions;csmgcl3;crystals;epr;pairs;absorption;parameters
