陈玮
,
程继健
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.004
为了探索新的透红外材料,本文研究了As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成区,制备了一系列不同AsTe和CuI含量的玻璃. 研究表明:该系统玻璃的形成范围相当大,As2Se3-AsTe二元系统可以任何比例形成玻璃,As2Se3-CuI和AsTe-CuI二元系统, 当CuI含量分别达70和40mol%时,仍可形成稳定的玻璃, 直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到. 研究了部分玻璃样品的远红外光谱,结果表明:该系统玻璃的结构单元主要是:[As(SeTe)3-xIx] (x=0～3)、[As2Te4]和[CuI4],随玻璃的成分不同,这些结构单元的相对比例也不同,根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型.
关键词:
硫系卤化物玻璃
,
玻璃形成
,
玻璃结构
,
红外透射材料
刘丽红
,
胡志强
,
张晨宁
,
高岩
,
卢珊珊
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.012
应用浸渍涂膜法制备了CuI固体电解质薄膜,组装了DSSC电池.用扫描电镜观察了CuI薄膜的表面形貌,四探针电阻仪测定了CuI薄膜的电阻率,XJCM-8太阳电池测试仪测试了DSSC电池的性能结果表明:添加适量的离子液体可以有效地抑制CuI晶粒的生长;提高CuI晶粒与多孔TiO2薄膜孔径尺寸的相配度;减小CuI薄膜的电阻率.这些都是影响CuI固体电解质色素增感太阳能电池性能及稳定性的重要因素.
关键词:
TiO2薄膜
,
离子液体
,
CuI固体电解质
,
色素增感太阳能电池
刘飞
,
祝博
,
王晓丹
,
曹建新
人工晶体学报
以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体.采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响.结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI.按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2h可制备出六边形薄片状γ-CuI.不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响.纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9 Ω·cm.
关键词:
γ-CuI晶体
,
电导率
,
液相法
,
微乳液法
陈玮
,
程继健
无机材料学报
为了探索新的透红外材料，本文研究了As2
Se3－AsTe－CuI系统玻璃的形成区，制备了一系列不同ASTe和CuI含量的玻璃．研究表明：该系统玻璃的形成范围相当大，AS2Se3－ASTe二元系统可以任何比例形成玻璃，AS2Se3－CuI和AsTe-CuI二元系统，当CSI含量分别达70和40mol％时，仍可形成稳定的玻璃，直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到．研究了部分玻璃样品的远红外光谱，结果表明：该系统玻璃的结构单元主要是：［AS（SeTe）3-xIx］（x＝0～3）、［As2Te4］和［CuI4］，随玻璃的成分不同，这些结构单元的相对比例也不同，根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型．
关键词:
硫系卤化物玻璃
,
null
,
null
,
null
刘飞
,
祝博
,
王晓丹
,
曹建新
材料导报
以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体.采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响.结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制备的γ-CuI晶相组成和晶体形状没有太大影响,但对晶体尺寸具有较大影响.适宜的微乳液制备工艺条件能产生适当的界面膜强度,有效控制碘化压铜晶体尺寸.CTAB-正戊醇-环己烷-水体积比为3∶3∶7∶10,硫酸铜溶液0.1mol/L和碘化铵溶液0.2mol/L,常温下500r/min搅拌2h合成产物为六边形薄片状γ-CuI.
关键词:
γ-CuI微乳液法
,
六边形薄片状
,
晶体尺寸
,
微观形貌
王钦忠
,
汪正浩
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.10.020
用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的. 利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质. 研究发现,溶液pH值对CuI半导体膜的阻抗有较大的影响,pH值越小则电化学反应电阻就越大;同时,溶液的pH值也对CuI半导体膜电极的表面态有着较大的影响,pH值越大表面态密度越大. 在pH值为0的Na2SO4溶液中测得CuI半导体的Efb为0.023 V(vs.SCE).
关键词:
CuI半导体
,
交流阻抗
,
平带电位
李锋锐
,
顾牡
,
何徽
,
畅里华
,
温伟峰
,
李泽仁
,
陈亮
,
刘金良
,
欧阳晓平
,
刘小林
,
刘波
,
黄世明
,
倪晨
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160262
采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex＜49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.
关键词:
γ-CuI晶体
,
超快闪烁体
,
衰减时间
,
能量响应
高书燕
,
李政道
,
贾晓霞
,
陈艳丽
功能材料
采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI.无需任何低表面能物质(硫醉或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°.最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的应用价值.
关键词:
超疏水
,
六边形纳米CuI
,
表面修饰
,
低表面能
刘畅
,
苑帅
,
张海良
,
曹丙强
,
吴莉莉
,
尹龙卫
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150455
γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种带隙为3.1 eV的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件.本研究利用简单的铜膜碘化法制备了CuI薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响.在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下,制备出了高透过率(可见光范围＞75％)、导电性能好(电阻率4.4×10-2Ω·cm)的CuI薄膜.利用CuI薄膜作为空穴传输层,组装了CuI/CH3NH3PbI3/PCBM反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为8.35％,讨论了CuI薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理.
关键词:
碘化亚铜
,
铜膜碘化法
,
透明导电
,
反型钙钛矿太阳能电池
