程开甲
,
程漱玉
稀有金属材料与工程
应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则只有极少的角区中存在电子,动量空间即产生对称破缺,从而导致超导电性,并由热力学估算出薄膜超导体的转变温度.结果显示薄膜超导体的转变温度至少比块材超导体的转变温度高一个量级.作者还设计了一个研究薄膜超导电性的实验.
关键词:
超导电性
,
薄膜
,
对称破缺
,
TFDC
X.B. Tian
,
X.F. Wang
,
A.G. Liu
,
L.P. Wang
,
S. Y. Wang
,
B. Y. Tang and P. K. Chu 1)Advanced Welding Production & Technology National Key Laboratory
,
Harbin Institute of Technology
,
Harbin 150001
,
China 2)Department of Physics & Materials Science
,
City University of Hong Kong
,
China
金属学报(英文版)
The research on plasma immersion ion implantation has been conducted for a little over ten years. Much is needed to investigate including processing technlogy, plasma sheath dynamics, interaction of plasma and surface, etc. Of the processing methods elavated temperature technique is usually used in PIII to produce a thick modified layer by means of the thermal diffusion. Meanwhile plasma ion heating is more recently developed by Ronghua Wei et al[1]. Therefore the temeperature is a critical parameter in plasma ion processing. In this paper we present the theoretical model and analysize the effect of imlantation voltage, plasma density, ion mass,etc on the temperature rise.
关键词:
plasma immersion ion implantation
,
null
,
null
夏小建
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.06.010
采用Wei-Norman方法,求出含时变电压源的介观LC电路随时间演化的精确解,应用相空间准概率分布函数,研究了时变电源作用下介观LC电路相干态的量子特性,结果表明此函数是一个二维运动的Gauss波包,其中心电量和磁通呈余弦和正弦变化.
关键词:
量子光学
,
LC回路
,
介观电路
,
相干态
,
量子态演化
,
相空间的准概率分布函数
李翔宇
,
赵霄龙
,
郭向勇
,
曹力强
材料导报
在Cheng-Vachon模型的基础上提出了一种针对由连续相和分散相组成的两相复合材料的新导热系数模型.通过引入一个新的参数,即分散相的修正体积含量来改进Cheng-Vachon模型不适用于分散相体积含量较大的缺点.使用新的导热系数模型预测泡沫混凝土的导热系数,与实验结果的对比表明,新的模型可以准确预测泡沫混凝土的导热系数.
关键词:
泡沫混凝土
,
复合材料
,
导热系数
,
无机材料
