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工艺因素对319铝合金热分析特征值的影响

佟媛媛 , 华勤

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2010.03.011

运用热分析技术研究了冷却曲线特征值与319铝合金中化学成分之间的关系,并进行回归分析.结果表明,在不考虑工艺因素的情况下,试样的硅含量与α-Al枝晶生长回升温度TαDENG之间的相关性最大,相关系数r为-0.65,以硅含量可预测α-Al枝晶生长回升温度.在浇注过程中,冷却速度与α-Al枝晶生长回升温度TαDENG密切相关,相关系数为r=-0.72.在相同的冷却条件下,铝合金的浇注温度和浇注量对冷却速度有明显的影响,因此,可以通过调整浇注温度和浇注量,控制铝合金的冷却速度,进而也可预测铝合金中α-Al枝晶生长回升温度TαDENG.

关键词: 319铝合金 , 热分析 , 特征值 , 浇注工艺

B2型Y基金属间化合物YX(X=Ag,Cu,In,Rh)延性预测

庄厚龙 , 彭平 , 周惦武 , 刘金水

稀有金属材料与工程

采用第一原理赝势平面波方法--CASTEP程序计算了4种B2型Y基金属间化合物YX(X=Ag,Cu,In,Rh)的部分弹性性质,计算结果与文献报道值基本一致.通过Pugh定律、Cauchy压力和泊松比等经验判据,分析并预测了它们的脆性/延性,其延性高低次序为:YRh>YAg>YCu>YIn.电子结构分析表明:这4种金属间化合物良好的延性源于其较强的金属键,而不同程度的Y(d)-X(p)电子杂化则导致了其延性的差异.YIn中因In的p电子较多,杂化程度高,共价键方向性强,因而延展性最低,而YRh则由于存在Y(d)-Rh(d)电子间强的相互作用,增强了其金属键作用,因而延性最好.

关键词: Y基金属间化合物 , 脆性/延性 , 第一原理 , 电子结构

LC4铝合金稀土转化膜耐蚀性及影响因素

张巍 , 李久青 , 许江涛 , 陈昆

腐蚀学报(英文) doi:10.3969/j.issn.1002-6495.1999.06.004

开发了IC4铝合金稀土转化膜碱性两步成膜工艺ZH1,利用正交优化设计方法确定了最佳工艺参数.采用多种实验方法研究了经ZH1处理的LC4铝合金在氯化物环境中的耐蚀性及其影响因素,结果表明:经ZHI工艺处理过的LC4铝合金耐全面腐蚀和点蚀性能均有明显提高,稀土转化膜既抑制了腐蚀的阴极过程,也抑制了阳极过程.具有ZH1转化膜的LC4铝合金对氯离子浓度和pH值的变化不甚敏感.

关键词: 高强铝合金 , 稀土转化膜 , 耐蚀性学科

Bulk and surface half-metallicity: Metastable zinc-blende TiSb

Journal of Applied Physics

Motivated by the recent experimental fabrication of half-metallic MnSb and CrSb thin films with metastable zinc-blende structure [Aldous et al. Phys. Rev. B 85, 060403(R) (2012); Deng et al. J. Appl. Phys. 99, 093902 (2006)], we investigate the structural, electronic, and magnetic properties of TiSb in both ground-state NiAs and metastable zinc-blende phases by using the first-principles calculations. It is shown that the ground-state NiAs phase is metallic and nonmagnetic, but the metastable zinc-blende phase exhibits half-metallic ferromagnetism with a magnetic moment of 1.00 mu(B) per formula unit. We also reveal that the half-metallicity in bulk ZB TiSb is lost at the Sb-terminated (001) surface due to the appearance of surface states within the gap of the minority-spin channel, but the Ti-terminated (001) surface retains the bulk half-metallicity, which makes ZB TiSb a promising candidate for the possible epitaxial growth of half-metallic thin films or multilayers on semiconductor substrates for spintronic applications. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4739744]

关键词: room-temperature ferromagnetism;molecular-beam epitaxy;crsb;cras;spintronics;state;mnas

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