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有机EL和LED与无机EL和LED发光机制的异同

李文连

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.007

比较了有机EL和LED与无机EL和LED的主要差异。有机EL属于电注入发光,无机EL属于高场激发下的碰撞离化机制,而且有机LED和无机LED的激发和发光机制也不同。无机半导体中往往存在着局域载流子,而有机LED必须从电极注入,在未注入载流子之前,它们是绝缘体。不能简单地用无机LED中的p-n结理论来解释有机LED的发光现象。

关键词: 有机电致发光 , 半导体 , 发光

有机EL与无机EL和LCD的比较及其未来前景

李文连

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.005

通过比较有机EL与无机EL、LCD在平板显示应用方面的差异,展示了OELD的美好应用前景.由于无机薄膜EL缺乏高亮度蓝基色成分以及驱动电压是100V左右的交流,难于制成低压彩色超薄显示器;无机分散型EL屏采用的是十几微米厚的粉末材料,也难于制成高分辨率超薄显示器,因此它们都无法与OELD相比.OELD显示器体积可以是LCD的1/2,功耗也大大低于LCD,所以OELD将有望取代LCD.评述了当前OELD的最新发展趋势:采用荧光染料掺杂式的模糊界面结构的电致荧光器件和采用荧光染料掺杂式的电致磷光器件是当前OELD发展的主要潮流.文中还评述了采用低折射率材料提高外量子效率的情况.

关键词: 电致发光 , 磷光 , 发光平板显示

用于有机EL器件的电极材料

李文连

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.02.005

由于有机EL属于电注入发光,因而电极材料在EL器件的载流子注入中起着重要作用,但这往往被人们所忽略.本文描述了正负电极材料的功函数、电极材料及结构等对EL器件性能有着重要影响,并对电极材料工作机制进行了讨论.

关键词: 电极材料 , 有机电致发光器件 , 聚合物

有机EL器件的研究及产品开发现状

张素梅 , 石家纬 , 李靖

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.008

介绍了有机EL器件的结构、工作原理及特点,概述了有机EL器件的研究现状及产品开发现状,对器件今后的发展做了展望.

关键词: 有机 , EL器件 , 产品开发

Fe-Mn-Si合金在Néel温度以下的γ→ε相变

马如璋 , 赵钟涛 , 刘涛

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2000.06.004

用电阻法、磁化率和X-光衍射等方法研究了Fe-30Mn-6Si形状记忆合金在Néel温度以下的γ→ε相变,与以前工作不同,本文实验结果显示,在某些Fe-Mn和Fe-Mn-Si合金中磁转变并不阻止ε马氏体相在Néel温度以下的生成。

关键词: el温度 , 反铁磁转变 , 马氏体相变 , Fe-Mn-Si , 形状记忆合金

无机、有机LED和EL白色发光及绿色照明

李文连

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.007

用无机白色LED照明由于不含Hg,因而无公害,被称为绿色照明。描述了无机LED的特性及进展,特别描述了与发光粉结合成新的白光LED的发展动态;同时还评述了无机白光EL和有机EL白光发射在绿色照明应用的可能性。

关键词: 白光 , 发光二极管 , 电致发光

激基复合物与有机聚合物EL性能的关系

李文连

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.011

在有机EL研究中经常遇到有机薄膜界面态的新发射,一般认为是激基复合物(Exciplex)的发射.本文评述了有机/有机、有机/高分子、高分子界面和混合物间Exciplex的形成与EL性能的关系及Exciplex的形成机制.

关键词: 激基复合物 , 有机电致发光 , 界面

电致磷光及其有机El的量子效率提高

李文连

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.011

一般有机电致发光(OEL)器件仅利用了单重态发射,因而效率较低,为了提高有机EL效率,人们设法利用三重态的发射提高其量子效率.本文评述了如何利用三重态发射产生的电致磷光提高有机EL效率问题.

关键词: 有机电致发光 , 激发三重态 , 磷光

热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响

王丽华 , 郝秋艳 , 解新建 , 刘红艳 , 刘彩池

材料热处理学报

利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LECSI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI—GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定,真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时,EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。

关键词: 半绝缘砷化镓 , 热处理 , EL2缺陷 , 微区红外测量技术

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