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First-principles calculations on spin-polarized transport properties of Mn4O4 cluster

Zhen-Xiang Dai , Gan-Hong Zheng , Bing Wang , Wei-Wei Wang , Yong-Qing Ma , Zhi Zeng

稀有金属（英文版） doi:10.1007/s12598-013-0176-0

关键词:

YVO4: Eu3+ photoluminescence films with Bi doping

Zhen-Xiang Dai , Yu-Qin Dong , Gan-Hong Zheng , Shi-Bing Qian , Qian Ma , Guang Li

稀有金属 doi:10.1007/s12598-013-0144-8

关键词:

GaN 纳米结构的制备

马洪磊 , 杨莺歌 , 薛成山 , 马瑾 , 肖洪地 , 刘建强

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.001

提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAD)研究了 GaN 纳米结构的形貌和晶格结构.结果表明 GaN 纳米结构是具有六角纤锌矿结构的 GaN 晶体,不存在 Ga2O3 或 Ga 的其他相.研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的 GaN 晶体.简要地讨论了GaN 纳米结构的生长机制.

关键词: GaN , 纳米结构 , 制备 , 后氮化技术

GaN基器件中的欧姆接触

邵庆辉 , 叶志镇 , 黄靖云

材料导报

GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.

关键词: 氮化镓 , 欧姆接触 , 接触电阻率

Structure and Debye temperature of wurtzite GaN

Modern Physics Letters B

High Pure Wurtzite structure GaN has been synthesized by gas reaction method. Its structure was determined by powder X-ray diffraction using the Rietveld technique. The positions in the unit cell for Ga and N were refined to be (0, 0, 0) and (0, 0, 0.3814). The Debye temperature was determined as 586 K from the refined temperature factor by using the Debye approximation.

关键词: light-emitting-diodes;high-pressure phase;gallium nitride;transition;growth;blue

非极性GaN薄膜及其衬底材料

周健华 , 周圣明 , 邹军 , 黄涛华 , 徐军 , 谢自力 , 韩平 , 张荣

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.022

本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.

关键词: r面蓝宝石 , γ-LiAlO2 , a面GaN , m面GaN

GaN薄膜的研究进展

马洪磊 , 杨莺歌 , 刘晓梅 , 刘建强 , 马瑾

功能材料

由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点.本文简要介绍了GaN薄膜的制备、衬底选择、掺杂、缓冲层、发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题.

关键词: GaN薄膜 , 研究进展 , 发光机制

低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

张东国 , 李忠辉 , 彭大青 , 董逊 , 李亮 , 倪金玉

人工晶体学报

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.

关键词: MOCVD , 缓冲层 , AlGaN/GaN , 二维电子气

Effects of Mg Doping on Photoconductivity of GaN Films

Deheng ZHANG , Qingpu WANG , Yunyan LIU

材料科学技术（英文）

This paper presents the UV photoconductivity properties of GaN films doped with different Mg concentrations deposited by MOCVD. It was observed that for the undoped and weakly doped GaN films the UV photocurrent response was relatively large and the relax time was relatively short. With an increase in doped Mg content, the samples became p-type, the photocurrent response became weak and the relax time became longer.

关键词: GaN , null , null , null

Fe/GaN、Fe_3N/GaN的生长及其性能研究

陶志阔 , 张荣 , 陈琳 , 修向前 , 谢自力 , 郑有炓

功能材料

应用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在c轴取向的GaN上生长出Fe颗粒薄膜以及Fe3N薄膜。应用XRD、AFM、XPS以及SQUID等技术对薄膜的结构、表面形貌以及磁学性能等性质进行了分析,结果表明六方结构的GaN上生长的Fe为立方结构,且以Fe（110）//GaN（0002）晶面以及Fe[001]//GaN[11■0]轴的方式存在,而生长的Fe3N为六方结构,且以Fe3N（0002）//GaN（0002）晶面以及Fe3N[11■0]//GaN[1ī00]轴的方式存在。同时,磁学分析表明,平行于薄膜方向为易磁化方向,垂直于薄膜方向为难磁化方向。

关键词: 自旋注入 , 金属有机物化学气相沉积 , 铁磁薄膜