史少飞
,
吴爱民
,
张学宇
,
姜辛
材料导报
阐述了异质结(HIT)太阳能电池的结构与特征,并从异质结能带结构的优化、非晶硅层的制备方法、背面场(BSF)的研究、衬底材料的选取以及发射极材料的革新等方面综述了HIT太阳能电池的技术发展状况.概述了HIT电池的产业化应用研究现状,并展望了HIT、太阳能电池的未来发展趋势.
关键词:
HIT
,
太阳能电池
,
异质结结构
张心强
,
张维佳
,
武美伶
,
贾士亮
,
刘浩
,
李国华
功能材料
在较高工作气压(332.5～399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman) 测试技术对其进行了测试和分析.结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)、(220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2～5nm)符合纳米晶的要求.将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm2,25℃).
关键词:
纳米硅
,
薄膜
,
PECVD
,
HIT
,
太阳能电池
T.Gang
,
J.Zhang
,
M.B.Zhang and F.X.Liu (1)AWPT National Key.
,
HIT
,
Harbin 15001
,
China 2)State 159 Factory
,
China)
金属学报(英文版)
A primary study on Processing in X - ray inspection of spot weld for aluminum alloy spot welding,in- cluding for background simulation,acquisition of ideal binary image, and extraction and identifi- cation of defect features was presented.
关键词:
X - ray detection
,
null
,
null
,
null
钟正祥
,
刘丽
,
彭磊
,
金兆国
,
刘斌
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2015.04.009
采用有机硅树脂掺杂无机粒子制备了一种耐高温腻子(HIT-J01),研究了其粘接性能、膨胀特性和抗热震性能.通过SEM及XRD分析了腻子的微观结构和相变化.结果表明:制备的腻子具有良好的粘接和抗热震性能,粘接C/SiC的单搭接剪切强度为5.5 MPa,1 200℃在线单搭接剪切强度1.8 MPa.腻子同基材C/SiC具有良好的热膨胀匹配性能.HIT-J01腻子在高温条件下生成的Al2O3·(B2O3)n融体.在风洞考核环境下,腻子封堵面平均温度高达1 200℃,最高温度达到1 400℃,风洞实验后,腻子表观平整、无裂纹.
关键词:
耐高温
,
热膨胀
,
风洞考核
,
剪切强度
张研研
,
任瑞晨
,
史力斌
人工晶体学报
采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了背场对TCO/a-Si∶ H(p+)/a-Si∶ H(i)/c-Si(n) /a-Si∶ H(i) /a-Si∶ H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明在背场掺杂浓度NB≥1×1018cm-3时,带隙在1.60～ 1.92 eV范围内的宽带隙薄膜硅材料比较适合作为双面HIT太阳电池的背场.模拟中还发现,背场n+层掺杂浓度对太阳电池性能的影响要受到该层隙间态密度的制约,隙间态密度越大,则对背场掺杂浓度的要求越高.
关键词:
太阳电池
,
异质结
,
背场
,
模拟
温迪
,
雷青松
,
乔治
,
高美伶
,
薛俊明
,
张雯
人工晶体学报
采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响.通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400～800 nm)平均透过率为82.3％的ITO薄膜.将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04％的HIT太阳能电池.
关键词:
ITO薄膜
,
衬底温度
,
溅射功率
,
HIT太阳能电池
齐晓光
,
雷青松
,
杨瑞霞
,
薛俊明
,
柳建平
人工晶体学报
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能.研究表明,在硅烷浓度为5％时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性.作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92％的太阳电池.
关键词:
RF-PECVD
,
非晶硅薄膜
,
硅烷浓度
,
HIT太阳电池
姚尧
,
肖少庆
,
刘晶晶
,
顾晓峰
人工晶体学报
运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18％.
关键词:
异质结太阳电池
,
透明导电氧化物薄膜
,
AFORS-HET
,
功函数
张研研
,
任瑞晨
,
史力斌
人工晶体学报
运用美国滨州大学研发的AMPS-1D程序,模拟计算了发射层对n型衬底上有背场的非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.结果表明当发射层隙间缺陷态密度大于发射层掺杂浓度并达到一定值时,太阳电池的开路电压和填充因子将大幅度降低,从而导致电池的转换效率迅速衰减.发射层的带隙越大,电池的短路电流越大,而带尾宽度越宽,电池的开路电压越低,二者应达到最佳的匹配值才能使太阳电池达到更高的转换效率.
关键词:
太阳电池
,
发射层
,
转换效率
,
模拟
