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Research Progress and Development Tendency of Nitrogen-alloyed Austenitic Stainless Steels

Yu-ping LANG , Hua-peng QU , Hai-tao CHEN , Yu-qing WENG

钢铁研究

关键词:

CSD-La3TaO7薄膜外延生长行为

王耀 , 李成山 , 于泽铭 , 冯建情 , 金利华 , 王辉 , 张平祥

稀有金属

研究CSD技术制备La3TaO7 (LTO)缓冲层过程中前驱液的热分解行为以及热处理工艺对薄膜取向生长的影响,通过选取恰当的LTO前驱液以及快速升温热处理的方法最终获得了良好c轴织构的LTO薄膜.

关键词: 涂层导体 , 缓冲层 , 化学溶液沉积

Chen系统的状态变量周期性反馈控制

李开明 , 李亚洲 , 冯维贵 , 林长

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.05.014

采用非线性反馈控制,用附加了带参数的正弦项对Chen系统进行了有效的控制.随着参数k的逐渐增大,系统的动力学行为呈现出一系列的变化.数值研究结果表明:随控制参数的增大,驱动信号的强度渐大,混沌系统由混沌运动到周期轨道,最终到一相点.

关键词: 混沌 , Chen系统 , 不动点 , Lyapunov指数 , 反馈控制

Bi3+,Eu3+,Tb3+掺杂Lu3TaO7的发光性能研究

刘文鹏 , 张庆礼 , 杨华军 , 周鹏宇 , 孙敦陆 , 高进云 , 谷长江 , 罗建乔 , 王迪 , 殷绍唐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.018

采用固相反应法制备了Bi3+、Eu3+、Tb3+掺杂的Lu3TaO7.测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线.三种离子掺杂的Lu3TaO7均呈现出强的荧光发射,其中Bi3+具有峰位在431 nm处的一强发射宽带,衰减寿命为16.8μs,Eu3+、Tb3+则表现出稀土离子的特征锐发射峰,衰减寿命分别为1.26 ms和1.20 ms.因此,它们均是具有潜在应用前景的重闪烁体材料.

关键词: 材料 , 闪烁体 , Lu3TaO7 , 发光

SIF expressions for center cracked strip loaded by uniformly distributed stress acting on central portion of crack - Corrections of Chen's results - Response

International Journal of Fracture

关键词:

Ion sputter erosion in metallic glass-A response to "Comment on: Homogeneity of Zr(64.13)Cu(15.75)Ni(10.12)Al(10) bulk metallic glass" by L-Y. Chen, Y-W. Zeng, Q-P. Cao, B-J. Park, Y-M. Chen, K. Hono, U. Vainio, Z-L. Zhang, U. Kaiser, X-D. Wang, and J-Z Jiang J. Mater. Res. 24, 3116 (2009)

Journal of Materials Research

The morphology of the dark and bright regions observed by transmission electron microscopy for the Zr(64.13)Cu(15.75)Ni(10.12)Al(10) bulk metallic glass strongly depends on the ion beam parameters used for ion milling. This indicates that the ion beam could introduce surface fluctuation to metallic glasses during ion milling.

关键词: room-temperature

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果，当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时，TAO薄膜是p型导电的，在此范围之外，TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结，其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜， p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO），p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明，由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度，上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , antimony-tin oxide , PN junction

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , 锡锑氧化物 , PN结

Improved Nonlinear Equation Method for Numerical Prediction of Jominy EndQuench Curves

SONG Yuepeng , LIU Guoquan , LIU Shengxin , LIU Jiantao , FENG Chengming

钢铁研究学报(英文版)

Without considering the effects of alloying interaction on the Jominy endquench curves, the prediction results obtained by YU Baihai′s nonlinear equation method for multialloying steels were different from those experimental ones reported in literature. Some alloying elements have marked influence on Jominy endquench curves of steels. An improved mathematical model for simulating the Jominy endquench curves is proposed by introducing a parameter named alloying interactions equivalent (Le). With the improved model, the Jominy endquench curves of steels so obtained agree very well with the experimental ones.

关键词: Jominy endquench curve;nonlinear equation method;alloying interaction parameter;computer simulation

第27卷B辑作者索引

金属学报

Volu扣ne 27SeriesB1991AUTHOR INDEX CCAO Guanghan(曹光旱)············……6一B科6CAo weijie(曹卫恋)..················……5一B32oCAO Yilin(曹益林)··················……6一B443CHANG Xin(常听)···············……1一B48CHE Guang邻n(车广灿)·············一6一B科0CHEN Erbao(陈二保)···············……6一B410CHEN Jia....

关键词: