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LPCVD法制备硼掺杂硅薄膜特性及氢化

姚杰 , 章佩娴 , N.Du , K.P.Chik

材料研究学报

本文报告了LPCVD 制备的掺硼硅薄膜结构和物理性质分析,发现掺杂比R 在1×10~(-5)—4×10~(-2)的范围内,材料可划分为三种不同的相结构区:非晶态硅(a-Si)、非晶态硅-硼合金(a-Si∶B)和非晶态微晶硅(μc-Si)。物理性质测量也发现三种不同的结构区具有不同的特性和氢化规律。在a-Si∶B 区,霍尔系数符号是空穴导电的正号,而μc-Si 区材料进入简并状态。氢化明显地改善了材料的物理性质和掺杂效率,但对于重掺杂微晶区材料,氢化似乎使掺杂效率降低。

关键词:

SNOEK-Ke-K■STER PEAK OF INTERNAL FRICTION IN Fe-P-N ALLOYS

Y.Y.Che , G. Y.Zeng , Y. C. Xu and J. W , Ji(College of Science , Northeastern University , Shenyang 110006 , China)

金属学报(英文版)

The internal friction and precipitate phases of the deformed Fe-P-N alloys have been investigated. It has been found that the ratio of depends on the content of P and the relation holds if the content of N is lower than 30wt.ppm and the content of P is lower than 640wt.ppm. It shows that the intercept K2 is related to the presence of the atomic pairs and clusters of P in the alloy matrix.

关键词: internal friction , null

关于K-p两体问题的相对论修正

王万章 , 张启仁 , 高春媛

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.04.033

从基本理论出发,导出并求解了含有相对论修正的K介子与质子的两体薛定谔方程.其解可看作有统计解释的波函数.计算了K p的散射长度,结果表明相对论效应是很明显的.

关键词: K-p系统 , 相对论修正 , 散射长度

Crystal structure and thermal properties of compound K(2)Zn(3)(P(2)O(7))(2)

Powder Diffraction

K(2)Zn(3)(P(2)O(7))(2) was synthesized by solid state reaction and its crystal structure was determined by ab initio method from powder X-ray diffraction (XRD) data. The title compound was determined to be orthorhombic with space group P2(1)2(1)2(1), Z=4, and lattice parameters a=12.901(8) angstrom, b=10.102(6) angstrom, and c=9.958(1) angstrom. Values of lattice parameters from 303 to 573 K were measured by temperature-dependent XRD. Thermal expansion coefficients alpha(0), lattice parameters, and cell volume at 0 K were determined to be alpha(0)(a)=1.62327X 10(-4)/K, a(0)=12.855(4) angstrom, alpha(0)(b) = 1.17921 X 10(-4)/K, b(0)=10.070(8) angstrom, alpha(0)(c)=2.62364X 10(-4)/K, c(0)=9.880(4) angstrom, and alpha(0)(V) = 6.599 X 10(-2) /K, V(0) = 1278.967(0) angstrom(3). The specific heat equation as a function of temperature was determined to be C(p)=0.77115 +0.00231 T-1241.60027T(-2)- 1.4133 X 10(-6)T(2) (J/K g), for temperatures from 198 to 710 K. The melting point estimated from the mu-DTA heating curve is 795 degrees C. (C) 2008 International Centre for Diffraction Data. [DOI: 10.1154/1.2992517]

关键词: K(2)Zn(3)(P(2)O(7))(2);structure determination;thermal expansion;coefficient;specific heat;powder-diffraction;refinement;zno

应力比对40CrMnSiMoVA钢P-da/dN-△k曲线 影响研究

李淑兰 , 杨玉芬

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.03.016

在介绍40CrMnSiMoVA钢的力学性能和试验条件基础上,根据金属材料疲劳裂纹扩展的统计分析方法,求出Pa-N和P-da/dN-△k曲线,并对不同应力比条件下的试验数据进行可靠性分析和比较,探讨中值da/dN-△k曲线和99.9%可靠度dddN-△k曲线的变化规律.研究结果表明,P-da/dN-△k曲线与应力比有很强的相关性,随着应力比增强,裂纹扩展速率增加.当可靠度要求增加时,这种趋势更明显.根据研究结果,恰当地考虑40CrMnSiMoVA钢对于不同应力比的影响,便于进行概率断裂力学分析.

关键词: 断裂 , 40CrMnSiMOVA钢 , P-da/dN-△k曲线 , 应力比

KⅧ-TbLⅣ离子3s3p 3P1-3s2 1S0 的自旋禁戒跃迁

牟致栋 , 魏琦瑛

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.015

在对KⅧ-TbLⅣ离子3s3p 3P1能级结构的多组态相互作用理论HXR方法计算的基础上, 分析了各种效应对等电子序列离子能级结构的影响, 找出了能级沿等电子序列变化的规律性. 预测计算了K Ⅷ-Tb LⅣ离子3s3p 3P1的能级. 由此进一步计算了KⅧ-TbL Ⅳ离子自旋禁戒跃迁3s3p 3P1-3s2 1S0的谱线波长、振子强度和跃迁概率.

关键词: KⅧ-TbLⅣ离子 , 自旋禁戒跃迁 , 波长 , 振子强度和跃迁概率

La对Fe-P-N合金Snoek-Ke-K■ster峰的影响

戢景文 , 魏全金 , 张国福 , 赖祖涵 , 陈廷国

金属学报

研究了F? P—N合金加?对Snoek—Ke-Koster(SKK)峰的影响,发现与合金含La,P的原子浓度比(C_(La)/C_p)有关:对于C_(La)/C_p较大(例如4.56和2.6)的合金,La有明显增强SKK阻?效应:对于C_(La)/C_p=0.27的P过饱和合金,La对SKK峰无明显影响。

关键词: 内耗 , Snoek-Ke-Koster peak , Fe-P-La-N alloy

Phase relations and flux research for zinc oxide crystal growth in the ZnO-K(2)O-P(2)O(5) system

Journal of Alloys and Compounds

The subsolidus phase relations of the ternary system ZnO-K(2)O-P(2)O(5) were investigated by means of Xray diffraction (XRD). There are 7 binary compounds. 6 ternary compounds and 20 three-phase regions in this system. The phase diagram of the pseudo-binary system KZn(4)(PO(4))(3)-ZnO was also investigated by means of XRD and differential thermal analysis (DTA) methods. KZn(4)(PO(4))(3)-ZnO is a eutectic system with eutectic temperature about 952 degrees C and eutectic point at about 2 mol% ZnO. Only narrow composition range in the KZn(4)(PO(4))(3)-ZnO system is suitable for the growth of ZnO crystals. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

关键词: ZnO-K(2)O-P(2)O(5) system;ZnO semiconductor;Phase diagrams;X-ray;diffraction;single-crystals;potassium;zno;orthophosphates;monophosphate;equilibria;knowledge;(kpo3)x;na

Ga、K双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3材料的制备及热电性能

段兴凯 , 胡孔刚 , 丁时锋 , 满达虎 , 张汪年 , 马明亮

稀有金属

采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料.XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-xKxTe3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移.热压块体材料中存在明显的(001)晶面择优取向.SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善.在300～500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5.

关键词: 双掺杂 , 真空熔炼 , 热压 , 显微结构 , 热电性能

P₂O₅-BaO-Al₂O₃-K₂O磷酸盐激光玻璃的表面处理

杨刚 , 钱奇 , 杨中民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00196

采用化学浸蚀与高温热处理相结合的方法来改善P₂O₅-BaO-Al₂O₃-K₂O磷酸盐玻璃表面平整性、去除玻璃表面杂质, 提高用管棒法制备光纤预制棒时纤芯和包层玻璃的表面质量, 消除由于机械抛光工艺带来的表面缺陷和表面污染. 实验研究了磷酸盐玻璃盐酸浸蚀的特性, 分析了盐酸溶液与磷酸盐玻璃作用机制, 并确定了浸蚀参数，9mol/L的盐酸溶液对此磷酸盐玻璃具有最大浸蚀速率, 浸蚀30min后, 可消除玻璃表面的划痕. 盐酸溶液对玻璃的浸蚀反应使磷酸盐玻璃表面平整, 但在玻璃表面产生了晶化覆盖层. 通过进一步在拉丝温度下热处理, 可使玻璃表面覆盖层重新非晶化, 提高玻璃透过率. 实验结果表明：化学浸蚀和高温热处理的复合方法是一种有效改善磷酸盐玻璃表面质量的途径.

关键词: 磷酸盐玻璃 , surface , chemical etching , heating treatment