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Chen系统的状态变量周期性反馈控制

李开明 , 李亚洲 , 冯维贵 , 林长

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.05.014

采用非线性反馈控制,用附加了带参数的正弦项对Chen系统进行了有效的控制.随着参数k的逐渐增大,系统的动力学行为呈现出一系列的变化.数值研究结果表明:随控制参数的增大,驱动信号的强度渐大,混沌系统由混沌运动到周期轨道,最终到一相点.

关键词: 混沌 , Chen系统 , 不动点 , Lyapunov指数 , 反馈控制

As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成和结构研究

陈玮 , 程继健

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.004

为了探索新的透红外材料,本文研究了As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成区,制备了一系列不同AsTe和CuI含量的玻璃. 研究表明:该系统玻璃的形成范围相当大,As2Se3-AsTe二元系统可以任何比例形成玻璃,As2Se3-CuI和AsTe-CuI二元系统, 当CuI含量分别达70和40mol%时,仍可形成稳定的玻璃, 直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到. 研究了部分玻璃样品的远红外光谱,结果表明:该系统玻璃的结构单元主要是:[As(SeTe)3-xIx] (x=0~3)、[As2Te4]和[CuI4],随玻璃的成分不同,这些结构单元的相对比例也不同,根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型.

关键词: 硫系卤化物玻璃 , 玻璃形成 , 玻璃结构 , 红外透射材料

离子液体对CuI固体电解质色素增感太阳能电池性能的影响

刘丽红 , 胡志强 , 张晨宁 , 高岩 , 卢珊珊

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.012

应用浸渍涂膜法制备了CuI固体电解质薄膜,组装了DSSC电池.用扫描电镜观察了CuI薄膜的表面形貌,四探针电阻仪测定了CuI薄膜的电阻率,XJCM-8太阳电池测试仪测试了DSSC电池的性能结果表明:添加适量的离子液体可以有效地抑制CuI晶粒的生长;提高CuI晶粒与多孔TiO2薄膜孔径尺寸的相配度;减小CuI薄膜的电阻率.这些都是影响CuI固体电解质色素增感太阳能电池性能及稳定性的重要因素.

关键词: TiO2薄膜 , 离子液体 , CuI固体电解质 , 色素增感太阳能电池

多晶形γ-CuI晶体的制备与导电性能表征

刘飞 , 祝博 , 王晓丹 , 曹建新

人工晶体学报

以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体.采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响.结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI.按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2h可制备出六边形薄片状γ-CuI.不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响.纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9 Ω·cm.

关键词: γ-CuI晶体 , 电导率 , 液相法 , 微乳液法

As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成和结构研究

陈玮 , 程继健

无机材料学报

为了探索新的透红外材料,本文研究了As2
Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成区,制备了一系列不同ASTe和CuI含量的玻璃.研究表明:该系统玻璃的形成范围相当大,AS2Se3-ASTe二元系统可以任何比例形成玻璃,AS2Se3CuI和AsTe-CuI二元系统,当CSI含量分别达70和40mol%时,仍可形成稳定的玻璃,直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到.研究了部分玻璃样品的远红外光谱,结果表明:该系统玻璃的结构单元主要是:[AS(SeTe)3-xIx](x=0~3)、[As2Te4]和[CuI4],随玻璃的成分不同,这些结构单元的相对比例也不同,根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型.

关键词: 硫系卤化物玻璃 , null , null , null

微乳液法制备六边形薄片状γ-CuI晶体的研究

刘飞 , 祝博 , 王晓丹 , 曹建新

材料导报

以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体.采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响.结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制备的γ-CuI晶相组成和晶体形状没有太大影响,但对晶体尺寸具有较大影响.适宜的微乳液制备工艺条件能产生适当的界面膜强度,有效控制碘化压铜晶体尺寸.CTAB-正戊醇-环己烷-水体积比为3∶3∶7∶10,硫酸铜溶液0.1mol/L和碘化铵溶液0.2mol/L,常温下500r/min搅拌2h合成产物为六边形薄片状γ-CuI.

关键词: γ-CuI微乳液法 , 六边形薄片状 , 晶体尺寸 , 微观形貌

CuI半导体膜的电化学制备与性质

王钦忠 , 汪正浩

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.10.020

用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的. 利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质. 研究发现,溶液pH值对CuI半导体膜的阻抗有较大的影响,pH值越小则电化学反应电阻就越大;同时,溶液的pH值也对CuI半导体膜电极的表面态有着较大的影响,pH值越大表面态密度越大. 在pH值为0的Na2SO4溶液中测得CuI半导体的Efb为0.023 V(vs.SCE).

关键词: CuI半导体 , 交流阻抗 , 平带电位

γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐 , 顾牡 , 何徽 , 畅里华 , 温伟峰 , 李泽仁 , 陈亮 , 刘金良 , 欧阳晓平 , 刘小林 , 刘波 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160262

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex<49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.

关键词: γ-CuI晶体 , 超快闪烁体 , 衰减时间 , 能量响应

六边形纳米CuI及其超疏水性

高书燕 , 李政道 , 贾晓霞 , 陈艳丽

功能材料

采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI.无需任何低表面能物质(硫醉或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°.最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的应用价值.

关键词: 超疏水 , 六边形纳米CuI , 表面修饰 , 低表面能

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