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CSD-La3TaO7薄膜外延生长行为

王耀 , 李成山 , 于泽铭 , 冯建情 , 金利华 , 王辉 , 张平祥

稀有金属

研究CSD技术制备La3TaO7 (LTO)缓冲层过程中前驱液的热分解行为以及热处理工艺对薄膜取向生长的影响,通过选取恰当的LTO前驱液以及快速升温热处理的方法最终获得了良好c轴织构的LTO薄膜.

关键词: 涂层导体 , 缓冲层 , 化学溶液沉积

Bi3+,Eu3+,Tb3+掺杂Lu3TaO7的发光性能研究

刘文鹏 , 张庆礼 , 杨华军 , 周鹏宇 , 孙敦陆 , 高进云 , 谷长江 , 罗建乔 , 王迪 , 殷绍唐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.018

采用固相反应法制备了Bi3+、Eu3+、Tb3+掺杂的Lu3TaO7.测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线.三种离子掺杂的Lu3TaO7均呈现出强的荧光发射,...

关键词: 材料 , 闪烁体 , Lu3TaO7 , 发光

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO

关键词: 透明半导体薄膜 , antimony-tin oxide , PN junction

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,

关键词: 透明半导体薄膜 , 锡锑氧化物 , PN结

Ion sputter erosion in metallic glass-A response to "Comment on: Homogeneity of Zr(64.13)Cu(15.75)Ni(10.12)Al(10) bulk metallic glass" by L-Y. Chen, Y-W. Zeng, Q-P. Cao, B-J. Park, Y-M. Chen, K. Hono, U. Vainio, Z-L. Zhang, U. Kaiser, X-D. Wang, and J-Z Jiang J. Mater. Res. 24, 3116 (2009)

Journal of Materials Research

The morphology of the dark and bright regions observed by transmission electron microscopy for the Zr(64.13)Cu(15.75)Ni(10.12)Al(10) bulk metallic glass strongly depends on the ion beam parameters used for ion milling. This indicates that the ion beam could introduce surface fluctuation to metallic ...

关键词: room-temperature

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