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Thomas-Fermi模型含外电场作用的铝镁合金熵能的计算

刘霞 , 张建军 , 陈铮 , 王永欣

稀有金属材料与工程

本文基于Thomas-Fermi(TF)模型,提出外势场与原子内势场的作用,确定外势场对体系势场边界条件的影响,建立了外电场作用下的原子势场外边界条件.应用体积相加法,把单原子TF模型推广到化合物和固溶体.并以Al,Mg,Li等元素的单原子,Al-Mg固溶体,Mg5Al8化合物为例,计算和分析了电场作用对体系的熵能的影响.结果表明:熵能在整个电场区域内呈先减小后增大的变化趋势,并且边界势下和极板电压下的整体变化趋势一致,但零点处熵能的变化趋势不同.

关键词: Thomas-Fermi模型 , 静电场 , 铝镁合金 , 熵能

纳米复合薄膜特异电容机制探讨

程开甲 , 程漱玉 , 林东升 , 肖刚

稀有金属材料与工程

TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electron theory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性.根据TFDC电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制.

关键词: TFDC电子理论 , 二极层 , 大电容 , 薄膜

论位错的稳定存在

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.

关键词: 位错 , Thomas-Fermi-Dirac-Cheng , 极限尺寸

论共晶结构的机理

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

本文是Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论对共晶机理的阐述.提出了薄膜两组元之间的化学势差和电子密度差导致系统总能量改变的新思想,给出了研究稳定共晶态的最佳尺寸和能量的方法.

关键词: Thomas-Fermi-Dirac , 共晶 , 内应力 , 化学势 , 电子密度

复配壳聚糖对废水中Cu2+的动态吸附研究

宋颖韬 , 贾晟哲 , 党明岩

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2017.06.001

将壳聚糖与活性炭复配,并进行交联和接枝改性,制得复配壳聚糖吸附剂,并用于动态吸附废水中的Cu2+,通过穿透曲线考察了主要操作条件对吸附性能的影响.结果表明,增大溶液初始浓度及溶液流量,吸附剂的穿透吸附量增加,穿透时间减少,穿透曲线前移;增加吸附剂填充量,穿透吸附量及穿透时间增加,穿透曲线更加平缓.采用Thomas模型对实验数据进行拟合分析,结果表明,复配壳聚糖对Cu2+的动态吸附行为符合Thomas模型.

关键词: 复配壳聚糖 , 活性炭 , 动态吸附 , Cu2+ , Thomas模型

Skyrme能量密度泛函在深度垒下熔合反应中的初步应用

王小平 , 田俊龙 , 李贤 , 晏世伟

原子核物理评论

基于Skyrme能量密度泛函并对动能密度按扩展的Thomas-Fermi半经典近似展开到h四阶项,探索了深度垒下熔合反应的熔合截面急剧下降现象.通过分析熔合反应的入射道势和熔合截面来选择Skyrme参数,进而探索了深度垒下熔合反应与核物质状态方程之间的关系.

关键词: Skyrme能量密度泛函 , 入射道势 , 熔合截面

Fe基体上Ni膜和Cu基体上Ag膜的膜内应力

王姗姗 , 祝要民 , 任凤章 , 赵士阳 , 田保红

材料科学与工程学报

直流电沉积法在Fe基体上制备Ni膜和在Cu基体上制备Ag膜,利用悬臂梁法在线测量了膜中的平均应力,并计算了膜内分布应力,且对膜内平均应力的实验结果与Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子模型理论估算结果进行了对比.结果表明,Fe基体上Ni膜的平均应力和分布应力均为拉应力,而Cu基体上Ag膜的平均应力和分布应力均为压应力.两种膜的内应力均由界面应力引起.对于相同的基体和镀膜,膜内平均内应力的理论估算值与实验值较接近.

关键词: 薄膜 , 内应力 , 悬臂梁法 , 电子理论

一种TFD方程的数值解法及一些常见元素的电子密度求解

曹轲 , 任凤章 , 王天军 , 刘治军 , 田保红 , 李武会

稀有金属材料与工程

四阶Runge-Kutta法是工程计算中常用的一种求解微分方程的数值计算方法,具有精度高,易收敛等优点.本文在Feynman等人计算方法的基础上,用经典的四阶Runge-Kutta法来求解Thomas-Fermi-Dirac (TFD)方程,进一步提高原计算方法的计算精度.利用该方法求出了元素Cu的TFD方程数值解并计算出一些常见元素在Wigner-Seitz半径处的电子密度.

关键词: Thomas-Fermi-Dirac方程 , Runge-Kutta法 , 电子密度 , Wigner-Seitz半径

理想费米气体在n维势阱中的空间分布与有效囚禁范围

袁都奇 , 王参军

低温物理学报

Thomas-Fermi半经典近似适用条件下,求得了理想费米气体在n维广义幂律势阱中的态密度,进而研究了粒子数密度的空间分布,内能,热容量的空间变化以及等效化学势的一级近似.定义了绝对零度下的特征长度,求出了理想费米气体在n维广义幂律势阱中的有效囚禁范围.利用两个例子,揭示了理想费米气体的有效囚禁范围与外势形式,粒子数,粒子质量以及势场圆频率的依赖关系.

关键词: 理想费米气体 , 有效囚禁范围 , 空间分布 , n维势阱

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