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New Bi-metallic Single Source Precursors for the Deposition of Thin Films of Semiconductor Ceramics

U.Salma

材料科学技术（英文）

Stable binary single source precursors (SSP) for the deposition of thin films of ceramic semiconductors of composition SnO•GeO were synthesized by close circuit chemical vapour deposition (CCCVD) method. Elemental analysis and spectroscopic techniques were used to characterize the precursors. Scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS) were employed to characterize the thin films. Resistivity measurements were conducted to show that the films are of semiconducting nature.

关键词: Single-source precursors , precursors , CCCVD , Organotin

U薄膜制备方法

吕学超 , 任大鹏 , 汪小琳

稀有金属材料与工程

探讨了U薄膜的制备方法.主要介绍了机械抛光、电解抛光、机械轧制、磁控溅射沉积、离子束辅助沉积和聚焦离子束方法等,涉及了精细U薄膜的制备要求.同时,简要介绍了防止U薄膜氧化的后处理手段.

关键词: U薄膜 , 制备方法 , U薄膜抗氧化处理

Detailed check of the LDA plus U and GGA plus U corrected method for defect calculations in wurtzite ZnO

Computer Physics Communications

Based on a detailed check of the LDA + U and GGA + U corrected methods, we found that the transition energy levels depend almost linearly on the effective U parameter. GGA + U seems to be better than LDA + U, with effective U parameter of about 5.0 eV. However, though the results between LDA and GGA are very different before correction, the corrected transition energy levels spread less than 0.3 eV. These more or less consistent results indicate the necessity and validity of LDA + U and GGA + U correction. (C) 2012 Elsevier B.V. All rights reserved.

关键词: Band-gap problems;LDA plus U and GGA plus U;ZnO;First-principles;augmented-wave method

U68CuCr与U75V钢轨的摩擦磨损行为对比

万永清 , 杨忠民 , 杨西荣 , 王慧敏 , 陈颖

钢铁 doi:10.13228/j.boyuan.issn0449-749x.20150410

通过在MM-200摩擦磨损试验机上轮对滚动摩擦模拟试验，研究U68CuCr、U75V两种钢轨分别与ER8车轮钢轮对滚动摩擦磨损行为。U68CuCr、U75V是相同强度级别，不同硬度的钢轨。结果表明：U68CuCr钢轨硬度略低于U75V钢轨的硬度，但U68CuCr钢轨试样及其ER8匹配车轮的试样的磨耗量显著小于U75V钢轨试样及其ER8匹配车轮试样的磨耗量。同时，U68CuCr钢轨的塑性变形层和白层都比U75V钢轨的厚。

关键词: 摩擦磨损 , 钢轨 , 磨耗量

36U型钢性能异常分析

张贺宗 , 李智博

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2007.03.014

对36U型钢弯曲断裂及性能异常原因进行分析,发现断裂的主要原因是碳、硅含量超标、锰含量严重超标,使组织中出现较多贝氏体,且铁素体含量降低,同时断裂试样硬度比正常试样硬度高近一倍,最终导致U型钢性能异常、弯曲断裂.

关键词: 36U型钢 , 性能异常 , 脆性断裂 , 原因分析

36U型钢性能异常分析

张贺宗 , 李智博

物理测试

对36U型钢弯曲断裂及性能异常原因进行分析，发现断裂的主要原因是碳、硅含量超标、锰含量严重超标，使组织中出现较多贝氏体，且铁素体含量降低，同时断裂试样硬度比正常试样硬度高近一倍，最终导致U型钢性能异常、弯曲断裂。

关键词: 36U型钢 , property abnormity , brittleness crack , reason analysis

U上Al,Ti/Al镀层研究

鲜晓斌 , 刘柯钊 , 吕学超 , 张永彬

稀有金属材料与工程

用循环Ar+轰击-磁控溅射离子镀(MSIP)法在U表面上镀Al,Ti/Al,并采用俄歇电子能谱仪(AES)、扫描电镜(SEM)、电化学实验和平面磨耗实验,研究了其表面、剖面形貌和耐磨耐蚀性能,以及Al/U和Ti/Al镀层界面.结果表明:U上循环Ar+轰击-磁控溅射离子镀Al,Ti/Al界面存在较宽的原子共混区,且Ti/Al镀层的耐磨耐蚀性能明显优于单一磁控溅射离子镀Al层.

关键词: Ti/Al镀层 , 界面 , 耐磨性 , 耐蚀性

O2在U和U-Nb合金表面吸附的XPS研究

伏晓国 , 刘柯钊 , 汪小琳 , 柏朝茂 , 赵正平 , 蒋春丽

金属学报

采用X射线光电子能谱(XPS)分析研究了298 K时O2在金属U和U Nb合金清洁表面的原位吸附过程,作为对照还研究了在纯Nb表面的吸附.吸附各阶段XPS图谱的变化揭示了O2在U,Nb和U-Nb合金表面的吸附将导致UO2,NbO和Nb2O5等多种产物形成定量分析表明,O2在U和U-Nb合金表面的饱和吸附量大约分别为45 L和40 L(1 L=L33x10-4Pa.s),而O2在金属Nb上的饱和吸附量仅约为10 L.

关键词: 合金 , null , null

O2在U和U-Nb合金表面吸附的XPS研究

伏晓国 , 刘柯钊 , 汪小琳 , 柏朝茂 , 赵正平 , 蒋春丽

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.06.004

采用X射线光电子能谱(XPS)分析研究了298 K时O2在金属U和U Nb合金清洁表面的原位吸附过程,作为对照还研究了在纯Nb表面的吸附.吸附各阶段XPS图谱的变化揭示了O2在U,Nb和U-Nb合金表面的吸附将导致UO2,NbO和Nb2O5等多种产物形成定量分析表明,O2在U和U-Nb合金表面的饱和吸附量大约分别为45 L和40 L(1 L=L33x10-4Pa@s),而O2在金属Nb上的饱和吸附量仅约为10 L.

关键词: O2 , U , U-Nb合金 , 表面吸附 , X射线光电子谱

~(236)U及其加速器质谱(AMS)测量

王祥高 , 何明 , 李朝历 , 王伟 , 张大伟 , 黄春堂 , 石国柱 , 沈洪涛 , 吴绍雷 , 贺国珠 , 龚杰 , 陆丽燕 , 武绍勇 , 姜山

原子核物理评论

~(236)U是一种长寿命放射性核素,其半衰期为T_(1/2)=2.342(3)×10~7a,在自然界的含量极微,天然铀中~(236)U /~(238)U的原子比约为～10~(-14).目前,对于~(236)U及其测量的研究报道较少.首先介绍了~(236)U的产生,并对地球中~(236)U的总量进行了估算.概述了~(236)U测定在亿年级中子注量率积分评估、核环境和核活动监测,以及地质学等领域中的重要应用.最后,对国内外加速器质谱(AMS)测量~(236)U的状况进行了综述,报道了中国原子能科学研究院AMS小组通过对同位素干扰鉴别的多方面研究,初步建立了~(236)U-AMS测量方法.

关键词: ~(236)U , 加速器质谱 , 环境监测