刘文鹏
,
张庆礼
,
杨华军
,
周鹏宇
,
孙敦陆
,
高进云
,
谷长江
,
罗建乔
,
王迪
,
殷绍唐
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.018
采用固相反应法制备了Bi3+、Eu3+、Tb3+掺杂的Lu3TaO7.测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线.三种离子掺杂的Lu3TaO7均呈现出强的荧光发射,其中Bi3+具有峰位在431 nm处的一强发射宽带,衰减寿命为16.8μs,Eu3+、Tb3+则表现出稀土离子的特征锐发射峰,衰减寿命分别为1.26 ms和1.20 ms.因此,它们均是具有潜在应用前景的重闪烁体材料.
关键词:
材料
,
闪烁体
,
Lu3TaO7
,
发光
季振国
,
周荣福
,
毛启楠
,
霍丽娟
,
曹虹
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
关键词:
透明半导体薄膜
,
锡锑氧化物
,
PN结
X.B. Tian
,
X.F. Wang
,
A.G. Liu
,
L.P. Wang
,
S. Y. Wang
,
B. Y. Tang and P. K. Chu 1)Advanced Welding Production & Technology National Key Laboratory
,
Harbin Institute of Technology
,
Harbin 150001
,
China 2)Department of Physics & Materials Science
,
City University of Hong Kong
,
China
金属学报(英文版)
The research on plasma immersion ion implantation has been conducted for a little over ten years. Much is needed to investigate including processing technlogy, plasma sheath dynamics, interaction of plasma and surface, etc. Of the processing methods elavated temperature technique is usually used in PIII to produce a thick modified layer by means of the thermal diffusion. Meanwhile plasma ion heating is more recently developed by Ronghua Wei et al[1]. Therefore the temeperature is a critical parameter in plasma ion processing. In this paper we present the theoretical model and analysize the effect of imlantation voltage, plasma density, ion mass,etc on the temperature rise.
关键词:
plasma immersion ion implantation
,
null
,
null
夏小建
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.06.010
采用Wei-Norman方法,求出含时变电压源的介观LC电路随时间演化的精确解,应用相空间准概率分布函数,研究了时变电源作用下介观LC电路相干态的量子特性,结果表明此函数是一个二维运动的Gauss波包,其中心电量和磁通呈余弦和正弦变化.
关键词:
量子光学
,
LC回路
,
介观电路
,
相干态
,
量子态演化
,
相空间的准概率分布函数
