杨科芳
,
房江华
,
高连勋
催化学报
研究了Fe(acac)3-Al(I-Bu)3(acac=乙酰丙酮)催化体系对马来酸酐(MA)与茴香脑(ANE)共聚反应的催化性能. 动力学研究结果表明,MA与ANE共聚对单体的浓度呈一级反应,其表观活化能为31.0 kJ/mol. 用IR和13C NMR研究了共聚物的结构,结果表明聚合物是交替的,其中酸酐的含量为45.6%. 用GPC测定了聚合物的分子量及其分布,结果表明分子量的分布较窄,PDI=1.19～1.42. 用DTA研究了聚合物的热力学性质,其分解温度为501.1 ℃.
关键词:
乙酰丙酮铁
,
三异丁基铝
,
马来酸酐
,
茴香脑
,
共聚反应
房江华
,
杨科芳
,
胡富陶
催化学报
研究了Fe(acac)3-Al(i-Bu)3-CCl4 (acac=乙酰丙酮)催化体系对马来酸酐(MA)与降冰片烯(NBE)交替聚合反应的催化性能. 用元素分析、核磁共振和红外光谱研究了共聚物的结构,在单体比为1∶1时,共聚物中MA和NBE的含量分别为52.2%和47.8%. 凝胶渗透色谱结果表明共聚物分子量分布窄. 动力学研究结果表明, MA与NBE共聚对单体浓度呈一级反应,其表观活化能为74.3 kJ/mol.
关键词:
乙酰丙酮铁
,
三异丁基铝
,
四氯化碳
,
马来酸酐
,
降冰片烯
,
共聚反应
房江华
,
杨科芳
高分子材料科学与工程
研究了双金属体系Fe(acac)3-Al(i-Bu)3催化马来酸酐与异戊二烯的共聚反应.结果表明,在甲苯/二氧六环=2/5的混合溶剂中反应2 h,共聚物的收率为78.3%,溶解性实验表明,共聚物不溶于氯仿、丙酮、四氢呋喃等溶剂,但在极性溶剂如二氧六环中共聚,得到微溶于四氢呋喃的共聚物.用红外光谱、核磁共振、元素分析测定了共聚物的结构及组成.
关键词:
乙酰丙酮铁
,
三异丁基铝
,
马来酸酐
,
异戊二烯
,
共聚
丁伟
,
张一烽
,
沈之荃
高分子材料科学与工程
研究了丙烯酸十八酯(OA)在Nd(P204)3-Al(i-Bu)3催化剂体系中的聚合反应,反应的最佳条件是:以苯为溶剂,［Al］／［Nd］=9(摩尔比),［OA］／［Nd］=162(摩尔比),60 ℃反应6 h,聚合转化率大于90%,所得聚合物的分子量为1.0×105～1.5×105。聚合反应速率与单体浓度、催化剂浓度均呈一级关系,聚合反应的表观活化能为32.5 kJ／mol。
关键词:
丙烯酸十八酯
,
稀土配位催化剂
,
聚合动力学
,
配位聚合
房江华
,
沈之荃
高分子材料科学与工程
研究了Nd(acac)3-Al(i-Bu)3催化剂催化邻苯二甲酸酐(PA)和环氧氯丙烷(ECH)交替共聚合.考察了共聚反应的聚合特征,用红外光谱、核磁共振表征了共聚物结构.共聚反应动力学研究表明共聚反应与单体浓度呈一级关系,与催化剂浓度呈一级关系,表观活化能为112.0 kJ/mol.
关键词:
稀土络合催化剂
,
邻苯二甲酸酐
,
环氧氯丙烷
,
交替共聚
张复兴
,
王剑秋
,
邝代治
,
冯泳兰
,
许志锋
,
庾江喜
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2012.00300
二正丁基氧化锡和邻氯苯甲酸按物质的量比1∶2,通过微波固相合成法合成了二正丁基锡邻氯苯甲酸酯配合物{[n-Bu2Sn(O2CC6H4Cl)]2O}2.经X射线衍射方法测定了其晶体结构,配合物属三斜晶系,空间群为P(1),晶体学参数a=1.17653(4) nm,b=1.20672(4) nm,c=2.74090 (9) nm,α=80.493 (2)°,β=83.995 (2)°,γ=64.260(2)°,V=3.4547(2)nm3,Z=2,D(ε)=1.525 g/cm3,μ(MoKα)=16.34 cm-1,F(000)=1592,R1=0.0414,wR2=0.1349.晶体中每一个结构单元包含了2个键参数完全不同的以Sn2O2构成的平面四元环为中心环的二聚体结构分子,锡原子均为五配位的畸变三角双锥构型.对其结构进行量子化学从头计算,探讨了配合物的稳定性、分子轨道能量以及部分前沿分子轨道的组成特征.
关键词:
微波固相合成
,
二正丁基锡邻氯苯甲酸酯
,
晶体结构
,
从头计算
Jian Huang
材料科学技术（英文）
Two-step growth regimes were applied to realize a homoepitaxial growth of ZnO films on freestanding diamond substrates by radio-frequency (RF) reactive magnetron sputtering method. ZnO buffer layers were deposited on freestanding diamond substrates at a low sputtering power of 50 W, and then ZnO main layers were prepared
on this buffer layer at a high sputtering power of 150 W. For comparison, a sample was also deposited directly on freestanding diamond substrate at a power of 150 W. The effects of ZnO buffer layers on the structural, optical, electrical and morphological properties of the ZnO main layer were studied by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, semiconductor characterization system and atomic force microscopy (AFM) respectively. The experimental results suggested that homo-buffer layer was helpful to improve the crystalline quality of ZnO/diamond heteroepitaxial films.
关键词:
Freestanding diamond
