孙雷
,
沈鸿烈
,
李金泽
,
吴天如
,
丁古巧
,
朱云
,
谢晓明
人工晶体学报
以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果.用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征.结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,“表面催化”型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;“溶解析出”型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨“块”;金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱.
关键词:
石墨烯
,
Cu-In合金
,
化学气相沉积
李亚东
,
朱宏
,
丁古巧
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.06.012
研究表明,玻璃助剂含量从10增至30 wt.%时,厚膜NTC热敏电阻器的电阻率ρ50增长86%,其它材料特征常数(热敏常数B、电导激活能ΔE和电阻温度系数α50)增长小于1.4%.玻璃助剂含量从30增至40wt.%时,电阻率ρ50增长4%,其它材料特征常数增长7.7%.厚膜烧结过程中,热敏相的成分改变是导致材料特征常数显著变化的主要原因,电阻率对热敏相成分改变更为敏感.玻璃助剂含量为5 wt.%时,材料特征常数发生异常增大,电阻率ρ50增长420%,其它常数增长17%以上.异常增大现象主要与烧结时热敏相颗粒间难以形成良好接触和导通节点显著减少有关.
关键词:
厚膜NTC热敏电阻器
,
厚膜浆料
,
玻璃助剂
,
特征常数
