涂凡
,
苏小平
,
张峰燚
,
黎建明
,
丁国强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.04.024
在VGF法生长6英寸GaAs单晶的实际生长过程中,坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合.坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长过程中的温场和固液界面形状影响较大.通过模拟计算5种不同的空隙形状时的温场与热应力分布,发现随着空隙面积的增大,固液界面在轴向上的位置逐渐下降.在锥形空隙情况下,得到一个平坦的固液...
关键词:
垂直梯度凝固
,
数值模拟
,
空隙
,
固液界面
,
热应力分布
丁国强
,
苏小平
,
张峰燚
,
黎建明
,
冯德伸
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.02.016
VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小.目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主研发的VGF炉生长6英寸Ge单晶时,晶体生长过程中晶体与熔体中均具有较低的温度梯度(这里的温度梯度是指的界面附近的温度梯度),尤...
关键词:
锗单晶
,
垂直梯度凝固
,
数值模拟
丁国强
,
屠海令
,
苏小平
,
张峰燚
,
涂凡
,
王思爱
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.01.009
晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标.VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率.在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟方法研究了0.9,1.8,3.6mm·h-13个速率下6英寸VGF GaAs单...
关键词:
砷化镓
,
生长速率
,
数值模拟
,
垂直梯度凝固
涂凡
,
苏小平
,
张峰燚
,
黎建明
,
丁国强
,
王思爱
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.03.013
采用专业晶体生长数值模拟软件CrysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化.数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0.4时,固液界面为凸向熔体,与理论推导结果一致.模拟了晶体生长过程中固液界...
关键词:
数值模拟
,
垂直梯度凝固技术
,
GaAs
,
固液界面
,
热应力
李庆鹏
,
丁国强
,
刘建国
,
赫秀娟
,
严川伟
腐蚀学报（英文）
以正硅酸乙酯(TEOS)为原料在片状铝粉表面包覆SiO2, 通过扫描电镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对包覆的铝粉进行表征, 并研究了包覆铝粉对锌铝混合粉的析氢行为的影响.结果表明: SiO2包覆铝粉后可以有效地抑制锌铝混合粉的析氢, 包覆工艺最...
关键词:
SiO2包覆
,
Al flake
,
hydrogen evolution
,
n(H2O)/n(SiO2)
涂凡
,
苏小平
,
屠海令
,
张峰燚
,
丁国强
,
王思爱
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.02.014
采用数值模拟技术和Rnman光谱法对4 inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究.运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致.通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布.Raman测量结果表明,残余应力与位错密度分布基本一致.在VG...
关键词:
数值模拟
,
GaAs
,
位错密度
,
残余应力
,
Raman光谱法
,
位错胞状结构
丁国强
,
苏小平
,
屠海令
,
张峰燚
,
涂凡
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.015
利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长.首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型.根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置等.通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶...
关键词:
砷化镓
,
单晶
,
数值模拟
,
垂直梯度凝固
王思爱
,
苏小平
,
张峰燚
,
丁国强
,
涂凡
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.04.010
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90°,120° 3种情况下,晶体生长的固液界面均凹向熔体,随坩埚锥角α的增大,接触角θ变小,非均匀形核几率增加,易诱发孪晶和多晶.根据热量传输分...
关键词:
坩埚锥角
,
GaAs单晶
,
数字模拟
李庆鹏
,
丁国强
,
刘建国
,
赫秀娟
,
严川伟
腐蚀学报（英文）
以正硅酸乙酯(TEOS)为原料在片状铝粉表面包覆SiO2,通过扫描电镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对包覆的铝粉进行表征,并研究了包覆铝粉对锌铝混合粉的析氢行为的影响.结果表明:SiO2包覆铝粉后可以有效地抑制锌铝混合粉的析氢,包覆工艺最佳水硅比为10:1;SiO2膜与Al粉问存在Si-O...
关键词:
SiO2包覆
,
片状Al粉
,
析氢
,
水硅比
