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丁邦建 , 王维彪
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.006
研究了多孔硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响，实验表明多孔硅的制备条件如电解电流密度、电解时间等对多孔硅冷阴极的场发射特性有较大的影响。
关键词: 阳极氧化 , 场发射 , 多孔硅冷阴极
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.005
研究了多孔硅冷阴极的场致电子发射特性，实验表明采用电化学阳极腐蚀、氧化、蒸电极等工艺可以制备一种平面薄膜型多孔硅冷阴极。在超高真空环境下测量了多孔硅冷阴极的电子发射特性。
关键词: 多孔硅 , 场发射 , 冷阴极
