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退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响

江锡顺 , 万东升 , 宋学萍 , 孙兆奇

人工晶体学报

用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1h.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行...

关键词: ITO薄膜 , 磁控溅射 , 光电特性