朱华
,
万文琼
,
况慧芸
,
冯晓炜
人工晶体学报
运用射频磁控溅射技术,改变工作压(3 ～ 10 Pa)在玻璃衬底上生长透明导电ZnO∶ Al (ZAO)样品,采用XRD、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测量仪及SEM对薄膜微结构、厚度及其光电性能表征.结果发现:随着工作压增大,样品XRD曲线由多峰转变为(002)单峰,峰强变大半高宽减小,晶粒尺寸由10.01 nm增大到13.46 nm,薄膜结晶性能变好;紫外可见光光谱在400 ～ 760 nm波长区间平均透射率均在85％以上,且在400 nm以下均有吸收边峰出现,样品带隙宽度随工作压增加有蓝移现象,样品厚度随工作压增加从1085 nm减小到781 nm.样品电阻率随工作压从3～6 Pa增加由0.5×10-4Ω·cm增大到35×10-4Ω·cm,在6～10 Pa区间有减小趋势.
关键词:
ZAO薄膜
,
透射率
,
电阻率
朱华
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况慧芸
,
冯晓炜
,
万文琼
人工晶体学报
运用射频磁控溅射技术,改变氩、氮流量比(9/1 ～ 9/4)在玻璃衬底上获得ZnO∶N样品,采用XRD、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪及SEM对薄膜微结构和光学性能表征.结果发现∶N流量小,样品XRD峰强小,峰位不明显,紫外可见光光谱在320 ～780 nm波长区间透射率变化小；随着N流量的增加,样品XRD有(002)强单峰出现,在400 nm波长以下透射率急剧下降；当氩氮流量达到9/4,样品XRD出现双峰,紫外光透射率无明显变化.
关键词:
ZnO∶N薄膜
,
透射率
,
磁控溅射
朱华
,
万文琼
,
况慧芸
,
冯晓炜
人工晶体学报
运用射频磁控溅射技术,改变氩氧流量比在玻璃衬底上生长ZnO∶ Al(ZAO)样品,采用XRD、紫外-可见分光光度计对薄膜微结构、厚度及其光学性能表征,结果发现:维持氩流量不变(9 sccm),随着氧流量增加(1～9 sccm),样品XRD峰强减小,半高宽增大,晶粒尺寸减小,薄膜结晶性能变差;而维持氧流量不变(9 sccm),氩流量减小(9～3 sccm),样品XRD峰强增大,半高宽减小,晶粒尺寸变大,结晶性能变好.紫外可见光光谱在400 ～ 900nm波长区间平均透射率差异大(67.9％ ～91.1％);在420 ～ 900 nm波长区间平均透光率高且差异小(90.2％ ～92.4％).
关键词:
ZnO∶Al薄膜
,
透射率
,
磁控溅射
