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Na0.75Co1-xRuxO2体系中的金属-绝缘体相变

王杭栋 , 杨金虎 , 李琦 , 万海洋 , 方明虎 , 张维 , 吉村一良

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.009

在采用固相反应法成功制备单相Na0.75Co1-xRuxO2(0≤x≤0.5)样品的基础上,对其结构、输运性质和磁性质进行了系统研究.结果表明, x≤0.5的样品仍保持单相,样品的晶格参数随着Ru替代浓度x值的增加逐渐增大,说明在该体系中,Ru能均匀地替代Co.对于x=0的样品,在整个测量温区内,其电阻率-温度关系呈现典型的金属行为; x=0.01样品在T=37K附近发生了金属-绝缘体相变;而x≥0.02的所有样品,整个测量温区内均为半导体.与x=0样品相比较,x=0.1样品在30K时的电阻率增大了5个数量级.我们认为该体系在x=0.01附近发生的金属-绝缘体(MI)相变,起源于CoO2层的无序导致的电子的Anderson局域化.对于所有样品,在2K以上均没有观测到长程磁有序,其磁化率在100 K以上均满足居里-外斯定律,同时对该体系的磁化率结果进行了详细讨论.

关键词: 钴氧化合物 , 金属-绝缘体相变 , Ru部分替代

Bi2Sr2Co2O8体系中Pb替代及I插层对其结构和物性的影响

王杭栋 , 万海洋 , 林杨帆 , 方明虎

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.03.007

自今年3月在NaxCo2O4+Yh2o中发现超导电性以来,具有层状结构的Co系氧化物又受到人们广泛的关注.本文在成功合成具有misfit层状结构Bi2Sr2Co2Oy单相样品的基础上,通过Pb对Bi的部分替代、以及I的插层,成功地使其c轴由1.49nm增至1.87nm,并对其输运性质和磁性质进行了系统研究.结果发现:Pb的部分替代并没有使该体系的电阻-温度关系行为发生显著变化,但在低温下使样品呈现自旋玻璃态行为;I的插入不仅使其c轴长度增加,而且样品变为半导体,并不呈现超导电性,在低温下同样呈现自旋玻璃态行为.同时对Pb替代及I插层效应进行了讨论.

关键词: 钴氧化物 , 自旋玻璃 , 过渡性金属氧化物

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