王秀敏
,
韩会民
,
丛吉远
,
王玉魁
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2000.04.011
CuCr50真空触头材料经深冷处理后,抗电弧烧蚀性能明显提高.本文利用电子探针、能谱、显微硬度测试等手段,对CuCr50合金深冷处理前后的显微组织和性能进行了对比分析.结果表明:CuCr50合金深冷处理后,显微孔洞明显减少,Cu基体孪晶增多,表面出现弥散分布的细小Cr颗粒.说明在深冷过程中,显微孔洞焊合,致密性增加,Cu基体的纯度增加,电极导热性、导电性随之增加.这种组织与性能的变化使真空开关的抗电弧烧蚀能力及开断能力得到较大改善.
关键词:
深冷处理
,
铜铬合金触头
,
显微组织
,
显微孔洞
,
电弧烧蚀
顾彪
,
徐茵
,
秦福文
,
丛吉远
,
张砚臣
,
孙捷
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.016
研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.
关键词:
立方GaN
,
低温生长
,
活化氮源
,
ECR-PAMOCVD
