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采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

周海飞 , 龚谦 , 王凯 , 康传振 , 严进一 , 王庶民

材料科学与工程学报

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质.利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8％,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0％.通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法...

关键词: 分子束外延 , InGaP , InAlP , 张应变Ge