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检索条件:作者=乔在祥  

  • 论文(5)

多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池光强特性的研究

刘芳芳 , 孙云 , 张力 , 李长健 , 乔在祥 , 何青 , 王赫

人工晶体学报

本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10~100 mW/cm2范围内的性能参数.结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm2时,电池性...

关键词: CIGS薄膜 , 太阳电池 , 光强特性 , 弱光特性

衬底对宽带隙CGS薄膜的影响

赵彦民 , 肖温 , 李微 , 杨立 , 乔在祥 , 陈贵锋

人工晶体学报

分别在Al∶ ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用“三步法”共蒸发工艺沉积了约0.8 μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响.在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较Mo薄膜底电极上减弱,(220/...

关键词: 宽带隙 , 铜镓硒 , 共蒸发 , 衬底

n-GaInP2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析

纪伟伟 , 张超 , 张德亮 , 乔在祥

人工晶体学报

热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道.本文首先对比GaInPJGe异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能.然后通过MOCVD在P...

关键词: 热光伏 , Ge , GaInP2 , 异质结 , J-V特性

卷对卷技术制备大面积柔性CIGS薄膜太阳电池吸收层

赵彦民 , 李微 , 闫礼 , 乔在祥 , 刘兴江

人工晶体学报

以轻质柔性聚酰亚胺(PI)材料为衬底,采用低温共蒸发"一步法"工艺制备四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜.本文采用卷对卷(roll-to-roll)技术,在衬底幅宽300 mm的方向上实现了良好的成膜均匀性.利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相、组分和厚度,SEM分析了薄膜的...

关键词: CIGS薄膜 , 聚酰亚胺 , 卷对卷技术

用于四结电池的InGaAsN材料研究

乔在祥 , 赵新杰 , 陈文浚

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.032

随着InGaP2/InGaAs/Ge三结太阳电池技术日趋成熟,具有更高理论效率的基于GaAs体系的四结电池新材料AlInGaP/InGaAs/?(新材料)/Ge已经受到人们的关注,经过计算,要求新材料的禁带宽度应该为0.95eV~1.05eV.InxGa1-xAs1-xNy材料的禁带宽度可以调整为0...

关键词: MOCVD , 转换效率 , 外延